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Eine Halbleitervorrichtung wird bereitgestellt, die eine aus einem MISFET gebildete Diode aufweist, welche eine Strom-Spannungs-Kennlinie nahe jener einer idealen Diode aufweist. Negative Ladungen (z. B. Elektronen: 8a) sind auf der Seite der Drainregion (2) eines zwischen die Filme des Siliziumoxids (4a, 4c) gefügten Siliziumnitridfilms (4b) gefangen. Wenn mit den so gefangenen negativen Ladungen (8a) und den durch sie induzierten Kanal-Ladungsträgern (9a) eine Vorspannung zwischen dem Drain und die Source gelegt wird, weist der MISFET in Abhängigkeit davon, ob es sich um eine Vorwärtsspannung oder eine Sperrspannung handelt, unterschiedliche Schwellenwerte für die Kanalbildung auf. Dies bedeutet, wenn eine Sperrspannung anliegt, bildet sich der Kanal in nicht hinreichender Weise und der Source-Drain-Strom fließt mit geringerer Wahrscheinlichkeit, während der Kanal sich in hinreichender Weise bildet und ein großer Source-Drain-Strom fließt, wenn eine Vorwärtsspannung anliegt. Dies liefert eine Strom-Spannungs-Kennlinie nahe jener der idealen Diode.
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