动态随机存取记忆体的控制方法及其在电脑中的应用

摘要

一种可调整记忆体页大小的动态随机存取记忆体(DRAM)控制方法，包括下列步骤：在开机期间先辨识DRAM的型态，判定DRAM的最大记忆体页大小，并根据DRAM的型态设定一页遮罩，当收到DRAM存取要求时，根据页遮罩分别决定用于前笔DRAM存取的内部位址其可调整记忆体页部分和用于下笔DRAM存取的内部位址其可调整记忆体页部分，然后比较前笔DRAM存取的内部位址其第一部分以及下笔DRAM存取的内部位址其第一部分，并且比较前笔DRAM存取的内部位址其可调整记忆体页部分以及下笔DRAM存取的内部位址其可调整记忆体页部分，用来判定下笔DRAM存取是否为页命中或页错失存取。

主权项

1.一种可调整记忆体页大小的动态随机存取记忆体控制方法，至少包含下列步骤：辨识一动态随机存取记忆体(DRAM)的型态；判定该DRAM的最大记忆体页大小，并根据该DRAM的型态设定一页遮罩；应一前笔DRAM存取要求而进行一DRAM读写动作；接收一下笔DRAM存取要求，其中该下笔DRAM存取要求接在该前笔DRAM存取要求之后；根据该页遮罩，分别决定该前笔DRAM存取用的内部位址其可调整记忆体页部分和该下笔DRAM存取用的内部位址其可调整记忆体页部分；若该前笔DRAM存取用的内部位址其第一部分与该下笔DRAM存取用的内部位址其第一部分相符，并且该前笔DRAM存取用的内部位址其可调整记忆体页部分与该下笔DRAM存取用的内部位址其可调整记忆体页部分亦相符，则判定该下笔DRAM存取系一页命中存取；以及根据该DRAM的最大记忆体页大小，将该下笔DRAM存取用的内部位址其第二部分映射至该DRAM的行位址，其中该下笔DRAM存取用的内部位址其第二部分系连续的位址位元。