发明名称 |
基于近红外分光计控制光致抗蚀剂剥离过程的方法和再生光致抗蚀剂剥离剂成分的方法 |
摘要 |
在对制造半导体装置或液晶显示器的光致抗蚀剂剥离过程进行控制的控制方法中,首先利用NIR分光计对光致抗蚀剂层剥离过程中使用的剥离剂成分进行分析。然后,通过将分析的成分与基准成分进行比较,确定剥离剂的状态。如果剥离剂的寿命已经结束,则利用新剥离剂替换该剥离剂。相反,如果该剥离剂的寿命还没有结束,则将该剥离剂输送到下一个光致抗蚀剂剥离过程。还可以将该分析技术以同样方式应用于光致抗蚀剂剥离剂再生过程。 |
申请公布号 |
CN1439120A |
申请公布日期 |
2003.08.27 |
申请号 |
CN01811689.2 |
申请日期 |
2001.03.27 |
申请人 |
东进半导体化学株式会社 |
发明人 |
朴美仙;金钟民;朴兑濬;姜哲佑;任润吉 |
分类号 |
G03F7/42 |
主分类号 |
G03F7/42 |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
关兆辉;张天舒 |
主权项 |
1.一种控制光致抗蚀剂剥离过程的方法,该方法包括下列步骤:利用近红外分光计,对制造半导体装置或液晶显示器的光致抗蚀剂层剥离过程使用的剥离剂成分进行分析;通过将分析的成分与基准成分进行比较,确定是否还可以使用该光剥离剂;以及如果该剥离剂不能使用了,则利用新剥离剂替换该剥离剂,或者如果该剥离剂还可以使用,则将该剥离剂用于下一个光致抗蚀剂剥离过程。 |
地址 |
韩国仁川 |