| 发明名称 | 基准电路及其方法 | ||
| 摘要 | 一种基准电路具有提供基极-发射极电压|V<SUB>BE</SUB>|的电压差ΔV的双极晶体管并且具有电阻用来将从ΔV得到的电流I<SUB>R1</SUB>和从一个双极晶体管的基极-发射极电压|V<SUB>BE</SUB>|得到的电流I<SUB>R2</SUB>相加起来，结果所述电流I<SUB>R1</SUB>及I<SUB>R2</SUB>得到的温度系数TC<SUB>TOTAL</SUB>互相补偿。电路具有将ΔV传送到电阻的电压转换单元，为的是电阻实际上不给双极晶体管加负载。接到双极晶体管的控制单元(241)调节电压转换单元的输入电压以适应温度变化，使n-FET工作于有源区。 | ||
| 申请公布号 | CN1119734C | 申请公布日期 | 2003.08.27 |
| 申请号 | CN98118379.4 | 申请日期 | 1998.08.14 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | 弗拉基米尔·考伊夫曼;亚钦·阿非克 |
| 分类号 | G05F3/30 | 主分类号 | G05F3/30 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种基准电路(200)，其特征在于：第一晶体管(216)，具有第一电流I1及第一电流密度J1，提供第一基极-发射极电压|VBE1|；第二晶体管(226)，具有第二电流I2及第二电流密度J2，提供第二基极-发射极电压|VBE2|；连接到所述第一晶体管(216)上的第一电压转换单元(260)；连接到所述第二晶体管(226)上的第二电压转换单元(270)；第一电阻(210)，通过所述第一电压转换单元(260)连接到所述第一晶体管(216)上并通过所述第二电压转换单元(270)连接到所述第二晶体管(226)上，因此第三电流IR1＝(|VBE1|-|VBE2|)/R1流经所述第一电阻(210)，不由所述第一电流I1或所述第二电流I2导出；以及第二电阻(220)，通过所述第一电压转换单元(260)连接到所述第一晶体管(216)上，因此第四电流IR2流经所述第二电阻(220)，不由所述第一电流I1导出，在所述基准电路(200)中，将所述第三电流IR1及所述第四电流IR2 相加起来并提供基准电流IM。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||