| 发明名称 |
CIRCUIT FOR NON-DESTRUCTIVE, SELF-NORMALIZING READING-OUT OF MRAM MEMORY CELLS |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP1338012(A2) |
申请公布日期 |
2003.08.27 |
| 申请号 |
EP20010998974 |
申请日期 |
2001.11.16 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
HOFFMANN, KURT;KOWARIK, OSKAR |
| 分类号 |
G11C11/15;G11C11/16;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08;(IPC1-7):G11C11/16 |
主分类号 |
G11C11/15 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
