在GaN基板上的发光二极管芯片和用GaN基板上的发光二极管芯片制造发光二极管元件的方法

摘要

本发明涉及两种发光二极管芯片。一种芯片具有一个导电的和辐射能穿透的衬底，外延层序列(3)在其背离衬底(2)的p型区(9)上基本上整个面积设置了一层反射的、可压焊的p型接触层(6)，衬底(2)在其背离外延层序列(3)的主面(10)上设置了一层金属化接触(7)，该接触只覆盖该主面(10)的一部分；从芯片(1)的光输出是通过衬底(2)的主面(10)的自由区和通过芯片侧面(14)来实现的。另一种发光二极管芯片则只具有外延层，p型导电外延层(5)在其背离n型导电外延层(4)的主面(9)上基本上整个面积设置了一层反射的、可压焊的p型接触层(6)，而n型导电外延层(4)则在其背离p型导电外延层(5)的主面(8)上设置了一层n型接触层(7)，该接触层只覆盖该主面的一部分；从芯片(1)的光输出是通过n型导电外延层(4)的主面(8)的自由区和通过芯片侧面(14)来实现的。

主权项

1.发光二极管芯片(1)，具有一个发光的外延层序列(3)，该外延层序列具有带n型导电区(8)的GaN基体上的一层n型导电外延层(4)和一层p型导电外延层(5)并设置在一个导电的衬底(2)上，该衬底(2)对该外延层序列(3)发出的辐射是可穿透的，外延层序列(3)在其背离衬底(2)的p型区(9)上基本上整个面积设置了一层反射的、可压焊的p型接触层(6)，衬底(2)在其背离外延层序列(3)的主面(10)上设置了金属化接触(7)，该接触只覆盖该主面(10)的一部分，从芯片(1)的光输出是通过衬底(2)的主面(10)的自由区和通过芯片侧面(14)来实现的，其特征为，p型接触层(6)具有一层设置在P型区(9)上的透光的第一层(15)和一层设置在该第一层上的反射的第二层(16)。