一种二极管结构及其静电放电防护电路

摘要

本发明公开了一种二极管以及相关的静电放电防护电路，该二极管包含有一第一导电性型的第一半导体层以及一第二导电型的MOS晶体管，该第一半导体层作为该二极管之一第一电极，该MOS晶体管，包含有一环型闸、一第二导电型的第一源/汲掺杂区以及一第二导电型的第二源/汲掺杂区，该环型闸绝缘地设于该第一半导体层上，以阻隔STI厚氧化层的生成，该第一源/汲掺杂区形成于该环型闸极所围绕的该第一半导体层的表面，作为该二极管之一第二电极，该第二导电型的第二源/汲掺杂区形成于该第一半导体层的表面，且围绕该环型闸，该第一电极与该第二电极其中之一为该二极管之一阴极，耦合至一第一接合垫，该第一电极与该第二电极其中的另一为该二极管之一阳极，耦合至一第二接合垫。

主权项

1.一种静电放电防护电路，适用于一集成电路芯片，包含有一二极管，其特征在于：包含有：一第一导电性型的第一半导体层，作为一第一电极；以及一第二导电型的MOS晶体管，包含有：一环型闸，绝缘的设于该第一半导体层上；一第二导电型的第一源/汲掺杂区，形成于该环型闸极所围绕的该第一半导体层的表面，作为一第二电极；以及一第二导电型的第二源/汲掺杂区，形成于该第一半导体层的表面，且围绕该环型闸。其中，该第一电极与该第二电极其中之一为该二极管的一阴极，耦合至一第一接合垫，该第一电极与该第二电极其中的另一为该二极管的一阳极，耦合至一第二接合垫。