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摘要 To change a plurality of trenches to one flat empty space by two-dimensionally forming the trenches on the surface of a semiconductor substrate and then applying heat treatment to the semiconductor substrate.
申请公布号 KR100392042(B1) 申请公布日期 2003.08.27
申请号 KR20000051092 申请日期 2000.08.31
申请人 发明人
分类号 H01L29/78;G02B6/10;G02B6/12;G02B6/122;H01L21/00;H01L21/336;H01L21/76;H01L21/762;H01L21/764;H01L21/822;H01L21/8238;H01L21/8242;H01L21/84;H01L27/04;H01L27/08;H01L27/092;H01L27/10;H01L27/108;H01L27/12;H01L29/06;H01L29/786;H01L29/84 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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