用于穿通非外延型绝缘栅双极型晶体管的缓冲区的氢注入

摘要

使用氢注入在晶片的底部形成N⁺缓冲层(30)，在薄(小于250微米厚)漂浮区硅晶片(20)中形成IGBT。在晶片的底部形成弱阳极(20)。单次氢注入或渐浅深度和增加用量的多个氢注入能够用来在扩散漂浮区晶片中形成注入。该过程还可以用来在硅中形成N⁺接触区，以允许用于任何类型器件的对硅的好的电阻接触。

主权项

1.一种在N型导电性的漂浮区硅晶片中制造穿通IGBT的方法；所述方法包括步骤：在所述晶片的顶表面上形成多个结并且将所述结金属化，以确定至少所述IGBT的一部分；从所述晶片的底表面去除材料以将所述晶片的厚度减少到一个给定值；将氢注入所述晶片的底表面以使N+缓冲层达到所述底表面的给定的深度和浓度；和在所述N+缓冲层的底部形成P-型集电极区；在所述P-型集电极区的顶部形成后侧接触；和在所述注入之后的一定时间通过将所述晶片温度升高到小于损坏所述IGBT的顶端结构的温度，对所述氢注入退火。