分离栅极式快速存储器的制造方法及结构

摘要

一种分离栅极式快速存储器的制造方法和结构，该结构中包括一基板，具有一源极区及一漏极区；一浮置栅极结构；一控制栅极；一第三绝缘层；一控制栅极侧壁层；一第二氧化层；以及一接触侧壁层；该制造方法则主要包含步骤：提供一半导体基板，其上并形成有一栅极氧化层、一第一导电层以及一牺牲层；移除部分该牺牲层，形成至少一个凹槽、于该牺牲层之上及凹槽中形成一第一氧化层、压平该第一氧化层直至露出该牺牲层的表面；去除该牺牲层、以及未覆盖该第一氧化层的部份该栅极氧化层及该第一导电层，以形成浮置栅极结构于该半导体基板上。

主权项

1.一种分离栅极式快速存储器的制造方法，该方法包括下列步骤：(a)：提供一半导体基板，其上并形成有一栅极氧化层、一第一导电层以及一牺牲层；(b)：移除部分该牺牲层，形成至少一个凹槽；(c)：在该牺牲层之上及凹槽中形成一第一氧化层；(d)：平坦化该第一氧化层直至露出该牺牲层的表面；(e)：去除该牺牲层、以及未覆盖该第一氧化层的部份该栅极氧化层及该第一导电层，以形成浮置栅极结构于该半导体基板上；(f)：依序形成一第二氧化层、一第二绝缘层于整个表面上；(g)：去除部分该第二绝缘层以定义第一开口；(h)：去除另一部分的该第二绝缘层，以及该第二氧化层，以定义第二开口，并于该第二开口的侧壁形成接触侧壁层；(i)：于第二开口内的半导体基板表层形成源极区；(j)：依序形成一第二导电层及一第三绝缘层于该第一开口及第二开口中；(k)：去除部分该第二导电层及该第三绝缘层，以定义第三开口，并于该第三开口的侧壁形成控制栅极结构；(l)：形成一第三氧化层于整个表面上及该第三开口中；(m)：去除部分该第三氧化层，以定义第四开口，并于该第四开口形成一控制栅极侧壁层；以及(n)：以该控制栅极侧壁层为罩幕，于该第四开口内的半导体基板表层形成漏极区。