| 发明名称 | 在半导体Si基片上沉积纳米Cu颗粒膜的高压电化学方法 | ||
| 摘要 | 一种在半导体Si基片上沉积纳米颗粒Cu膜的高压电化学方法，其特征是：在常温常压下，以不含Cu离子的水溶液为初始电解质，以Cu片作阳极，以半导体Si基片作阴极，在200～2000V的高压下进行电沉积10min～2h，在半导体Si基片上获得光滑致密的纳米颗粒Cu膜。这种在半导体Si基片上沉积纳米颗粒Cu膜的电化学方法，简单可靠，反应条件易控，基片选择范围宽，成膜均匀性好，有很好的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN1438678A | 申请公布日期 | 2003.08.27 |
| 申请号 | CN03120805.3 | 申请日期 | 2003.03.20 |
| 申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 严辉;王波;汪浩;朱满康;贺文亮;张永才 |
| 分类号 | H01L21/288;H01L21/445;C25D7/12;C25D3/38;C25D5/00 | 主分类号 | H01L21/288 |
| 代理机构 | 北京工大思海专利代理有限责任公司 | 代理人 | 张慧 |
| 主权项 | 1、一种在半导体Si基片上沉积纳米Cu颗粒膜的高压电化学方法其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)在常温常压下，以不含Cu离子的水溶液为初始电解质；(2)以Cu片作阳极，以半导体Si基片作阴极；(3)在200～2000V的高压下进行电沉积10min～2h；(4)在半导体Si基片上获得光滑致密的纳米颗粒Cu膜。 | ||
| 地址 | 100022北京市朝阳区平乐园100号 | ||