| 主权项 |
1.一种EL显示元件,其特征在于具有:显示部,该显示部具有可供给扫描信号之多数扫描线与可供给影像信号之多数信号线之同时,且具有驱动用电晶体及开关用电晶体;该驱动用电晶体之单位像素系矩阵状配列,各单位像素藉由EL元件及电流供给线而控制供给至前述EL元件之电流量;该开关用电晶体系藉着扫描信号而变化开关动作并藉着开关动作之变化而切换前述信号线与前述驱动用电晶体之闸电极的导通遮断;信号线侧驱动电路,系用以将影像信号供给至前述信号线;及扫描线侧驱动电路,系用以对前述扫描线供给扫描信号,并于保持写入于前述驱动用电晶体之闸电极之电压的保持期间内,藉由扫描线而强制性地停止前述EL元件之发光状态。2.如申请专利范围第1项之EL显示元件,其中前述消隐信号系强制性地设定前述驱动用电晶体为关闭状态的信号。3.如申请专利范围第2项之EL显示元件,其中前述单位像素具有一侧电极连接于前述驱动用电晶体之闸电极,而另一侧电极连接于前述多数扫描线之中任何一个特定扫描线的辅助容量,前述消隐信号藉由前述辅助容量而从前述特定扫描线赋予驱动用电晶体之闸电极。4.如申请专利范围第3项之EL显示元件,其中前述特定扫描线对连接于所选择之像素的扫描线为后段的扫描线。5.如申请专利范围第4项之EL显示元件,其中前述开关用电晶体及前述驱动用电晶体均为P通道型电晶体,前述EL元件之阳极电极作为像素电极而前述EL元件之阴极电极作为对向电极。6.如申请专利范围第4项之EL显示元件,其中前述开关用电晶体及前述驱动用电晶体均为N通道型电晶体,前述EL元件之阳极电极作为像素电极而前述EL元件之阴极电极作为对向电极。7.如申请专利范围第4项之EL显示元件,其中前述开关用电晶体系具有多数电晶体串联地连接之多闸构造的电晶体。8.如申请专利范围第4项之薄膜电晶体阵列,其中前述开关用电晶体系具有LDD(Lightly doped drain)构造之电晶体。9.如申请专利范围第4项之EL显示元件,其中前述单位像素分割为多数的副像素,前述副像素分别个别地具有副像素电极、开关用电晶体、控制用电晶体、辅助容量及扫描线,以组合前述各副像素之开启/关闭而可进行阶调显示之同时,且于各个副像素藉由扫描线而能赋予消隐信号。10.如申请专利范围第9项之EL显示元件,其中前述副像素之元件之发光部分的面积系因应要显示之阶调而对应输入的位元数来加权。11.如申请专利范围第4项之EL显示元件,其中前述开关用电晶体及前述驱动用电晶体可由聚矽来形成。12.如申请专利范围第4项之EL显示元件,其中前述驱动用电晶体之动作领域系线性领域。13.如申请专利范围第1项之EL显示元件,其中前述多数扫描线之中任何一个特定扫描线藉由前述控制用电晶体而与前述EL元件之阳极连接,前述EL元件之阴极系作为对向电极,前述特定扫描线兼具前述电流供给线,藉着从特定扫描线流向前述EL元件之电流而使前述EL元件发光驱动,前述消隐信号从前述特定扫描线供给之同时,此消隐信号系设定比EL元件之阴极电极的电位低的电压位准的信号。14.如申请专利范围第1项之EL显示元件,其中前述多数扫描线之中任何一个特定扫描线藉由前述控制用电晶体而与前述EL元件之阴极连接,前述EL元件之阳极系作为对向电极,前述特定扫描线兼具前述电流供给线,藉着从前述EL元件流向前述特定扫描线之电流而使前述EL元件发光驱动,前述消隐信号从前述特定扫描线供给之同时,此消隐信号系设定比EL元件之阳极电极的电位高的电压位准的信号。15.如申请专利范围第13项之EL显示元件,其中前述特定扫描线系前段扫描线。16.如申请专利范围第13项之EL显示元件,其中前述特定扫描线之阻抗与连接于前述特定扫描线之扫描线侧驱动电路之最后段缓冲器之输出阻抗的和,相对于连接于前述特定扫描线之EL元件的阻抗为20%以下。17.如申请专利范围第13项之EL显示元件,其中前述各单位像素分割为多数的副像素,前述副像素分别个别地具有副像素电极、开关用电晶体、控制用电晶体、辅助容量及扫描线,以组合前述各副像素之开启/关闭而可进行阶调显示之同时,且于各个副像素藉由扫描线而能赋予消隐信号。18.如申请专利范围第17项之EL显示元件,其中前述副像素之元件之发光部分的面积系因应要显示之阶调而对应输入的位元数来加权。19.一种EL显示元件,系具有可供给扫描信号之多数扫描线与可供给影像信号之多数信号线之同时,且具有驱动用电晶体及开关用电晶体;该驱动用电晶体之单位像素系矩阵状配列,各单位像素藉由EL元件及电流供给线而控制供给至前述EL元件之电流量;该开关用电晶体系藉着扫描信号而变化开关动作并藉着开关动作之变化而切换前述信号线与前述驱动用电晶体之闸电极的导通遮断,其特征在于具有:消隐信号用配线,系设置于前述配列成矩阵状之单位像素的各个行,而于保持写入于前述驱动用电晶体之闸电极之电压的保持期间内,供给用以强制性地设定前述驱动用电晶体于关闭状态之消隐信号;消隐信号驱动电路,系藉着前述消隐信号用配线而供给消隐信号;及辅助容量,系设置于前述各个单位像素,一侧电极连接于前述驱动用电晶体之闸电极,而另一侧电极连接于前述消隐信号用配线;且前述消隐信号系藉由前述辅助容量而从消隐信号用配线赋予驱动用电晶体之闸电极。20.如申请专利范围第19项之EL显示元件,其中前述消隐信号用配线系个别地连接于前述消隐信号驱动电路。21.如申请专利范围第19项之EL显示元件,其中前述消隐信号用配线系藉由一条共通线而连接于前述消隐信号驱动电路。图式简单说明:第1图表示实施样态1之EL显示装置构成的电路图。第2图表示使用于实施样态1之EL显示装置之扫描线侧驱动电路构成的电路图。第3图表示选择电路构成的电路图。第4图表示实施样态1之EL显示装置之一像素构成的断面图。第5图表示实施样态1之EL显示装置之一像素构成的平面图。第6图表示实施样态1之EL显示装置之发光动作的时间表,第6(a)图系影像信号电压之波形图;第6(b)图系扫描线GLa电压之波形图;第6(c)图系扫描线GLb电压之波形图。第7图系用以说明实施样态1之EL显示装置之发光动作之上下邻接的像素10a、10b构成图。第8图表示实施样态2之EL显示装置之一像素构成的断面图。第9图表示实施样态2之EL显示装置之发光动作的时间表,第9(a)图系影像信号电压之波形图;第9(b)图系扫描线GLc电压之波形图;第9(c)图系扫描线GLd电压之波形图。第10图系用以说明实施样态2之EL显示装置之发光动作之上下邻接的像素10c、10d构成图。第11图表示实施样态3之EL显示装置之显示部的平面图。第12图表示实施样态3之EL显示装置之显示部的电路图。第13图表示实施样态3之EL显示装置之显示部之变形例的平面图。第14图表示实施样态4之EL显示装置之EL元件与驱动用电晶体之进行动作点解析结果的模拟图。第15图表示实施样态5之EL显示装置之显示部的电路图。第16图表示实施样态5之EL显示装置之发光动作的时间表。第17图表示实施样态6之EL显示装置之显示部的电路图。第18图表示实施样态6之EL显示装置之发光动作的时间表。第19图表示实施样态7之活性矩阵型EL显示装置构成的电路图。第20图表示使用于实施样态7之活性矩阵型EL显示装置之扫描线侧驱动电路4A构成的电路图。第21图表示实施样态7之EL元件之发光动作的时间表,第21(a)图系影像信号电压之波形图;第21(b)图系扫描线Gla电压之波形图;第21(c)图系扫描线GLb电压之波形图。第22图系用以说明实施样态2之EL元件之发光动作之上下邻接的像素10a、10b构成图。第23图表示实施样态8之EL显示装置之电路图。第24图表示实施样态8之EL显示装置之发光动作的时间表,第24(a)图系影像信号电压之波形图;第24(b)图系扫描线GLa电压之波形图;第24(c)图系扫描线GLb电压之波形图。第25图系连接于驱动用电晶体之像素电极为阳极电极状态下,包含藉着扫描线及流动于该扫描线之电流而驱动的EL元件的等价电路。第26图系连接于驱动用电晶体之像素电极为阴极电极状态下,包含藉着扫描线及流动于该扫描线之电流而驱动的EL元件的等价电路。第27图表示相对于第25图及第26图之等价电路而进行电路模拟结果的曲线图。第28图系实施样态10之显示装置之显示部的平面图。第29图系实施样态10之显示装置之电路图。第30图系实施样态10之EL显示装置之显示部之变形例的平面图。第31图系实施样态11之活性矩阵型EL显示装置的电路图。第32图表示习知例构成的电路图。第33图表示习知例构成的平面图。 |
