发明名称 平面上切换液晶显示器装置
摘要 一种液晶显示器装置,包括液晶层被界定于第一和第二基体之间。一电极形成于第一基体上以产生电磁场大致上平行于液晶层之一平面作用,以及多个像素系被界定于液晶层内,其中每一像素包括多个有各自之用于液晶分子之定向之分域在其内,因此,该定向于液晶层之平面内系在此一分域和另一分域之间有不同。
申请公布号 TW548618 申请公布日期 2003.08.21
申请号 TW088119756 申请日期 1999.11.11
申请人 富士通显示技术股份有限公司 发明人 仲西洋平;田沼清治
分类号 G09G3/18 主分类号 G09G3/18
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种液晶显示器装置,其包含:第一和第二相互相对之基体;一液晶层,其被界定于该第一和第二基体之间;一电极,其形成于第一基体上以便能创造大致上平行于该液晶层之平面作用的电磁场;以及多个像素,其等系被界定于该液晶层内,该多个像素的每一者内包括多个具有用于液晶分子之各自定向的分域,以使得在该液晶层之该平面内的一分域和另一分域间的定向系不同。2.如申请专利范围第1项之液晶显示器装置,其中该多个像素之每一者系对应于该电极来形成,该电极包含相互分开而形成在第一基体上之一第一电极和一第二电极,该多个分域包括一邻近该第一电极之第一分域,一邻近该第二电极之第二分域,以及一介于第一分域和第二分域间的第三分域,在该第一及第二分域中,该等液晶分子在一第一方向对齐,该第一方向相对于在该液晶层之平面内的该电磁场之方向形成一第一角度,在该第三分域中,该等液晶分子在一第二方向对齐,该第二方向相对于在该液晶层之平面内的电磁场方向形成一第二角度,其中该第二角度系较第一角度为大。3.如申请专利范围第2项之液晶显示器装置,其中该第二角度系较大约50度为大,以及较大约75度为小。4.如申请专利范围第2项之液晶显示器装置,其中该第一和第二电极相互平行地伸展,该第一和第二方向系在一相对于该第一和第二电极之伸长方向之一对相互邻近的像素间呈一对称关系。5.如申请专利范围第1项之液晶显示器装置,其中该液晶层有一大约11013cm或更大之初始电阻率。6.如申请专利范围第5项之液晶显示器装置,其中该液晶层有一大体上较初始电阻率为小之电阻率。7.一种液晶显示器装置,其包含:第一和第二相互相对之基体;一液晶层被界,其被限定于第一和第二基体之间;一电极,其设在该第一基体上,以便能产生一大致上平行于该液晶层之平面而作用的电磁场;以及一间隔物构件,其配置于该第一和第二基体之间,该液晶层系由一具有一大约11014cm之初始电阻率之液晶所形成,该间隔物释出不纯物质至该液晶层。8.如申请专利范围第7项之液晶显示器装置,其中该间隔物承载环氧树脂在其表面上。9.如申请专利范围第7项之液晶显示器装置,其中该液晶层有一大约11013cm或更大之初始电阻率。10.如申请专利范围第9项之液晶显示器装置,其中该液晶层有一大体上较该初始电阻率为小之电阻率。11.一种液晶显示器装置,包含:第一和第二相互相对之基体;一液晶层,其被限定于第一和第二基体之间;一电极形成在该第一基体上,以便能产生,大致上平行于该液晶层之一平面而作用的电磁场;以及多个被界定于该液晶层内之像素,该多个像素之每一者包括多个具有各自的且互相不同之电光性能的分域。12.如申请专利范围第11项之液晶显示器装置,其中,在每一该像素内,该电极包含一承载多个电极指之交叉指型电极,该等多个电极指系形成有一间距,该间距在电极指对以及一不同之电极指对间改变。13.如申请专利范围第11项之液晶显示器装置,其中该电极包含载有多个电极指之交叉指型电极、一在每一该像素内被改变之该电极指的间距。14.如申请专利范围第11项之液晶显示器装置,其中该电极包含载有多个电极指之交叉指型电极,该多个电极指有各自且相互不同之宽度。15.如申请专利范围第11项之液晶显示器装置,其中在每一该多个像素中之该液晶层有一厚度,该厚度在一方向中改变,该方向垂直于一大致上平行于该液晶层之该平面而作用之该电磁场的方向。16.如申请专利范围第11项之液晶显示器装置,其中该液晶层包含液晶分子,藉此该等液晶分子在一方向改变其等之对齐方向,该方向大致上垂直于大致上平行于液晶层之平面而作用之该电磁场的方向。17.如申请专利范围第11项之液晶显示器装置,其中该液晶层包含液晶分子,藉此该等液晶分子在一方向改变其倾斜角度,该方向大致上垂直于大致上平行于液晶层之平面而作用之该电磁场的方向之。18.一种制造一液晶显示器装置之方法,该液晶显示器装置包含:第一和第二相互相对之基体、一被限定于该第一和第二基体间之液晶层,以及一设在该第一基体上以便能产生大致上平行于该液晶层之平面而作用之电磁场的电极,该方法包含之步骤为:使形成在该第一和第二基体之每一者之分子对准薄膜,曝光于在一极化之紫外线幅射下,以使得该极化之紫外线辐射之极化平面与液晶层中所欲之分子对准方向重叠。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该曝光该分子对准薄膜曝光之步骤,系在此一状态中执行,该状态系为该极化之紫外线幅射之极化平面与构成该液晶层之液晶分子的所欲对准方向重叠。20.如申请专利范围第18项之方法,其中该曝光该分子对准薄膜之步骤系被执行,以使得用于一非像素区之曝光剂量相较于用于一像素区之曝光剂量系增加。21.一种制造液晶显示器装置之方法,该液晶显示器装置包含:第一和第二相互相对之基体、一被限定于该第一和第二基体间之液晶层,以及一设在第一基体上以便能产生大致上平行于该液晶层之该平面而作用之电磁场的电极,该方法包含之步骤为:将不纯物质引入该液晶层内,俾以降低该液晶层之电阻。图式简单说明:第1A和1B图系略图,显示传统式IPS液晶显示器装置之原理;第2A和2B图系略图,显示依照本发明之第一和第二实施例之IPS液晶显示器装置之构造;第3A和3B图系略图,显示第一实施例之IPS液晶显示器装置之构造;第4A和4B图系略图,显示第一实施例之IPS液晶显示器装置之一变更;第5图系略图,显示依照本发明之第三实施例之IPS液晶显示器装置之构造;第6图系略图,显示一传统式IPS液晶显示器装置之磁光性能;第7A和7B图系略图,显示依照本发明第四实施例之IPS液晶显示器装置之原理;第8A和8B图系略图,显示使用于第四实施例之IPS液晶显示器装置中之电极之范例;第9A和9B图系略图,显示使用于第四实施例之IPS液晶显示器装置中之另一电极之范例;第10A和10B图系略图,显示第四实施例之IPS液晶显示器装置之视角与传统式IPS液晶显示器装置之视角相比较;第11图系一略图,显示本发明之第四实施例之IPS液晶显示器装置之另一构造;第12图系略图,显示第四实施例之IPS液晶显示器装置之另外构造;以及第13图系略图,显示仍为第四实施例之IPS液晶显示器装置之另外构造。
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