| 主权项 |
1.一种用于DRAM记忆单元之沟渠电容器,其具有一下电容电极(10.40)、一储存电介质(12.52)与一上电容电极(18.58),该等构件之配置至少需有一部分处于一沟渠内(5.45),在下沟渠区域内的该下电容电极(10.50)邻接一沟渠壁,其中该上沟渠区域有一间隔层(9.49)与一沟渠壁连接且由一绝缘物质所组成,并且该上电极(18.58)由至少两层(13.14.15;53.54.55)所组成,其中至少一层是金属,但是上电极两层中之下层不是由钨矽化物、钨、氮化钨、钌、钌氧化物、铱或铱氧化物所构成,而两层中之上层不是由掺杂之多晶矽所组成,其特征在于在每种情况中该上电极中之该层(13.14.15;53.54.55)会沿着该沟渠(5.45)壁与底部延伸至该间隔层(9.49)之上缘。2.如申请专利范围第1项之沟渠电容器,其特征在于在半导体基板(1.41)上形成该沟渠(5.45)。3.如申请专利范围第2项之沟渠电容器,其特征在于该半导体基板为一矽基板(1)。4.如申请专利范围第2项之沟渠电容器,其特征在于该半导体基板为一SOI基板(41)。5.如申请专利范围第3项之沟渠电容器,其特征在于该间隔层(9)与基板表面平行方向的厚度是15至25 nm。6.如申请专利范围第4项之沟渠电容器,其特征在于该间隔层(49)与基板表面平行方向的厚度是3至7 nm。7.如申请专利范围第1至6项中任一项之沟渠电容器,其特征在于该间隔层(9.49)配置于沟渠(5.54)中之上三至上五层,并且其延伸距离不超越该基板表面。8.如申请专利范围第1至6项任一项之沟渠电容器,其特征在于该金属层(14.54)包含金属之矽化物、氮化物、碳化物或矽/氮化物。9.如申请专利范围第8项之沟渠电容器,其特征在于该金属可选自钨、钛、钼、钽、钴、镍、铌、铂、钯与稀土金属。10.如申请专利范围第9项之沟渠电容器,其特征在于该上电容电极(18.58)由一第一多晶矽层(13.53)、一金属矽化物层(14.54)及一第二多晶矽层(15.55)所组成。11.一种制造使用于DRAM记忆单元之沟渠电容器的方法,该方法包含以下步骤:-于一基板(1.41)上界定一沟渠(5.45);-于上沟渠区域形成一由绝缘物质所构成之间隔层(9.49);-接着形成一下电容电极(10.50),该下电容电极在下沟渠区域内连接一沟渠壁、形成一储存电介质(12.52)并形成一上电容电极(18.58),该上电容电极至少由两层(13.14.15;53.54.55)组成而沿沟渠底部及沟渠壁延伸,且其中至少一层是金属,但是组成该上电极(18.58)之两层之下层不可以是矽化钨、钨、氮化钨、钌、氧化钌、铱或氧化铱并且上层不可是掺杂之多晶矽,而该两电容器电极(10.18;50.58)与该储存电介质(12.52)至少须有一部分处于该沟渠内。12.如申请专利范围第11项之方法,其特征在于该沟渠形成于半导体基板上(1.41)。13.如申请专利范围第12项之方法,其特征在于该半导体基板为一矽基板(1)。14.如申请专利范围第12项之方法,其特征在于该半导体基板为一SOI基板(41)。15.如申请专利范围第13项之方法,其特征在于该间隔层(9)与基板表面平行方向之厚度为15至25 nm。16.如申请专利范围第14项之方法,其特征在于该间隔层(49)与基板表面平行方向之厚度为3至7 nm。17.如申请专利范围第11至16项任一项之方法,其特征在于该间隔层(9.49)置于沟渠内之上三至上五层,且连接基板表面部分之间隔层(9.49)会在上电容电极(18.58)形成后被移除。18.如申请专利范围第11至16项任一项之方法,其特征在于该金属层(14.54)由金属之矽化物、氮化物、碳化物或矽/氮化物所组成。19.如申请专利范围第18项之方法,其特征在于该金属可选自钨、钛、钼、钽、钴、镍、铂、铌、钯与稀土金属。20.如申请专利范围第19项之方法,其特征在于该上电容电极(18.58)由一第一多晶矽层(13.53)、一金属矽化物层(14.54)与一第二多晶矽层(15.55)所组成。21.一种记忆单元,具有如申请专利范围第1至10项任一项之沟渠电容器以及一选择电晶体,该电晶体包含一源极、一汲极(19.59)、一闸极(20.60)与一导电通道,而该上电容电极(18.58)与源极或汲极(19.59)电性连接。22.一种制造记忆单元之方法,其使用如申请专利范围第11至20项中任一项之沟渠电容器的方法步骤,以及形成一源极、一汲极(19.59)一闸极(20.60)与一导电通道之步骤,以制作该选择电晶体,该上电容电极(18.58)电性连接至该源极或汲极(19.59)。图式简单说明:图1至7显示根据本发明之第一具体实施例,其包含制造记忆单元中沟渠电容器的所有步骤;图8至12显示根据本发明之第二具体实施例,其包含制造记忆单元中沟渠电容器的步骤;图13显示8F2单元构造之设计。 |
