| 主权项 |
1.一种肖特基整流器,包括:一半导体区域,具有第一及第二相向面,该半导体区域包括一和第一面相邻之第一传导型态的阴极区域,及一和第二面相邻之该第一传导型态的漂移区域,该漂移区域具有一比该阴极区域之净掺杂浓度还低的净掺杂浓度;一或多个沟槽,从该第二面延伸进入该半导体区域中,并界定该半导体区域内的一或多个台面;一绝缘区域,相邻于该一或多个沟槽中的该半导体区域,该绝缘区包含一热生长绝缘层,和该半导体区域接触,及一沉积生长绝缘层,沉积在该热成长绝缘区上;以及一阳极电极,其(a)相邻于并形成与该第二面处之该半导体区域接触的肖特基整流接触且(b)相邻于该沟槽中的该绝缘区域。2.如申请专利范围第1项之肖特基整流器,其中,该绝缘区域包含一氧化物。3.如申请专利范围第2项之肖特基整流器,其中,该绝缘区域包含二氧化矽。4.如申请专利范围第1项之肖特基整流器,其中,该沉积生长绝缘层系藉由化学气相沉积法来予以生长的。5.如申请专利范围第2项之肖特基整流器,其中,该沉积生长绝缘层系藉由化学气相沉积法来予以生长的。6.如申请专利范围第3项之肖特基整流器,其中,该沉积生长绝缘层系藉由化学气相沉积法来予以生长的。7.如申请专利范围第1项之肖特基整流器,其中,该半导体为矽。8.如申请专利范围第1项之肖特基整流器,其中,该第一传导型态为n型传导。9.如申请专利范围第1项之肖特基整流器,其中,该沟槽延伸进入该阴极区域中。10.一种沟槽肖特基整流器的形成方法,包括:形成一半导体区域,具有第一和第二相向面,该半导体区域包含一相邻于第一面之第一传导型态的阴极区域,及一相邻于第二面之该第一传导型态的漂移区域,该漂移区域具有一比该阴极区域之净掺杂浓度还低的净掺杂浓度;形成一或多个沟槽,从该第二面延伸到该半导体区域中,该沟槽界定在该半导体区域内的一或多台面;形成一绝缘区域,相邻于该沟槽中的该半导体区域,藉由热生长一接触该半导体区域的第一绝缘层,并沈积一第二绝缘层于该第一热生长绝缘层上;以及形成一阳极电极,其(a)相邻于并形成一与该第二面处之该半导体区域接触的肖特基整流接触,且(b)相邻于该沟槽中的该绝缘区域。11.如申请专利范围第10项之方法,其中,该绝缘区域包含一氧化物。12.如申请专利范围第12项之方法,其中,该绝缘区域包含二氧化矽。13.如申请专利范围第10项之方法,其中,该第二绝缘层系藉由化学气相沉积法来予以沉积的。14.如申请专利范围第11项之方法,其中,该第二绝缘层系藉由化学气相沉积法来予以沉积的。15.如申请专利范围第12项之方法,其中,该第二绝缘层系藉由化学气相沉积法来予以沉积的。16.如申请专利范围第10项之方法,另包含提供一阴极电极于该半导体区域的该第一面上。17.如申请专利范围第10项之方法,其中,形成该半导体区域之该步骤包含提供一半导体的基体,该半导体基体对应于该阴极区域;及生长一磊晶半导体层于该基体上,该磊晶层对应于该漂移区域。18.如申请专利范围第10项之方法,其中,形成该沟槽之该步骤包含形成经图案化之遮蔽层于半导体区域的第二面上,及经由该遮蔽层来蚀刻该沟槽之步骤。19.如申请专利范围第10项之方法,其中,该沟槽被形成而使得他们延伸进入该阴极区域中。图式简单说明:图1例举根据习知技术之沟槽MOS障壁肖特基整流器的剖面图。图2系对例如图1中所示之肖特基整流器,其崩溃电压对沟槽氧化的厚度的图表。图3系根据本发明之实施例,一沟槽肖特基整流器的剖面图。图4系根据本发明之实施例,一沟槽肖特基整流器的剖面图。图5系根据本发明之实施例,一沟槽肖特基整流器的剖面图。图6系根据本发明之实施例,一沟槽肖特基整流器的剖面图。图7A-7B系例举根据本发明之实施例,图3之沟槽肖特基整流器的形成方法。 |
