| 主权项 |
1.一种电路装置之制造方法,具备下列步骤:准备以绝缘树脂黏结第1导电膜与第2导电膜之绝缘树脂板之步骤;将上述第1导电膜蚀刻成所期望的图案而形成导电配线层之步骤;于上述导电配线层上做电性绝缘然后固着半导体元件之步骤;以密封树脂层覆盖上述导电配线层及上述半导体元件之步骤;蚀刻去除上述第2导电膜之步骤;以及于覆盖上述导电配线层的背面之上述绝缘树脂上设置贯通孔,并于上述导电配线层上形成外部电极之步骤。2.如申请专利范围第1项之电路装置之制造方法,其中,上述第1导电膜及上述第2导电膜系以铜箔形成。3.如申请专利范围第1项之电路装置之制造方法,其中,上述第1导电膜系形成得比上述第2导电膜薄,以将上述导电配线层微细图案化。4.如申请专利范围第1项之电路装置之制造方法,其中,上述第2导电膜系形成得比上述第1导电膜厚,以利用上述第2导电膜进行机械支持到以上述密封层覆盖之步骤为止。5.如申请专利范围第1项之电路装置之制造方法,其中,以上述密封树脂层覆盖之步骤后系利用上述密封树脂层进行机械支持。6.如申请专利范围第1项之电路装置之制造方法,其中,上述贯通孔系以雷射蚀刻上述绝缘树脂层而形成者。7.如申请专利范围第6项之电路装置之制造方法,其中,上述雷射蚀刻系使用二氧化碳雷射。8.如申请专利范围第1项之电路装置之制造方法,其中,形成上述导电配线层后,除了所期望的部位外系以覆盖树脂加以被覆。9.如申请专利范围第8项之电路装置之制造方法,其中,在上述导电配线层之从上述覆盖树脂露出的部位上形成金或银的电镀层。10.如申请专利范围第8项之电路装置之制造方法,其中,在上述覆盖树脂上固着上述半导体元件。11.如申请专利范围第10项之电路装置之制造方法,其中,上述半导体元件的电极与上述金或银的电镀层系以焊接线连接。12.如申请专利范围第1项之电路装置之制造方法,其中,上述密封树脂层系以传送模塑法形成。13.如申请专利范围第1项之电路装置之制造方法,其中,上述第2导电膜系以无遮罩之方式蚀刻去除全面。14.如申请专利范围第1项之电路装置之制造方法,其中,上述贯通孔系设置于所期望之上述导电配线层的背面。15.如申请专利范围第1项之电路装置之制造方法,其中,上述外部电极系以焊锡的网版印刷附着焊锡,然后加热熔融而形成者。16.如申请专利范围第1项之电路装置之制造方法,其中,上述外部电极系藉由焊锡之回焊而形成。图式简单说明:第1图系说明本发明电路装置之制造方法的剖视图。第2图系说明本发明电路装置之制造方法的剖视图。第3图系说明本发明电路装置之制造方法的剖视图。第4图系说明本发明电路装置之制造方法的剖视图。第5图系说明本发明电路装置之制造方法的剖视图。第6图系说明本发明电路装置之制造方法的剖视图。第7图系说明本发明电路装置之制造方法的剖视图。第8图系说明本发明电路装置之制造方法的剖视图。第9图系说明习知的半导体装置之制造方法的图。第10图系说明习知的半导体装置之制造方法的图。第11(A)至(C)图系说明习知的半导体装置之制造方法的图。第12图系说明习知之挠性板的图。 |
