| 主权项 |
1.一种量测闸极结构与主动区之重叠偏移量的方法,其中一主动区具有一第一、第二侧边,一第一至第N闸极结构互距一既定间隔地设置该主动区上,上述第一闸极结构会位于上述主动区之第一侧边之上,而上述第N闸极结构会位于上述主动区之第二侧边之上,并且上述第一、第N闸极结构与上述第一、第二侧边皆预定要重叠一既定宽度,该方法包括:提供一矩形掺杂区,设置于上述第一至第N闸极结构之下方,且具有一第一、第二测试边,分别对齐于上述主动区之第一、第二侧边,其中上述第一测试边以及上述主动区之第一侧边同样与上述第一闸极结构重叠上述既定宽度,并且上述第二测试边以及上述主动区之第二侧边同样与上述第N闸极结构重叠上述既定宽度;施加一第一电压至位于上述第一测试边上方之第一闸极结构,并且将位于上述第二测试边上之第N闸极结构接地;量测上述第一电压于上述掺杂区上之分压;根据上述分压,判断上述第一及第N闸极结构与上述第一测试边及第二测试边是否有偏移;若产生偏移时,根据上述分压、上述第一电压以及既定宽度,以计算出上述第一及第N闸极结构与上述主动区之第一、第二侧边之重叠偏移量(W)。2.如申请专利范围第1项所述之量测闸极结构与主动区之重叠偏移量的方法,其中当上述分压不等于上述第一电压的二分之一时,则表示上述第一及第N闸极结构与上述主动区之第一、第二侧边之重叠有产生偏移。3.如申请专利范围第1项所述之量测闸极结构与主动区之重叠偏移量的方法,其中上述重叠偏移量系依照下列数学式而求得:W=2W*(VS/V1)-W;其中,W表示上述第一及第二闸极结构与上述主动区之重叠偏移量;W表示上述第一闸极结构与第一测试边重叠之上述既定宽度、上述第N闸极结构与第二测试边重叠之上述既定宽度、上述第一闸极结构与第一侧边重叠之上述既定宽度,以及上述第N闸极结构与第二侧边重叠之上述既定宽度;V1表示上述第一电压;以及VS表示上述第一电压于掺杂区上之分压。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述每个闸极结构,系由一闸极绝缘层以及一闸极导电层所构成。5.如申请专利范围第1项所述之量测闸极结构与主动区之重叠偏移量的方法,其中上述掺杂区系以掺杂N型杂质而形成。6.如申请专利范围第5项所述之量测闸极结构与主动区之重叠偏移量的方法,其中上述掺杂区系形成于半导体晶圆上之切割道中。图式简单说明:第1图系一示意图,用以说明本发明中闸极结构与主动区之位置对应关系。第2a~2d图系表示本发明之量测方法的示意图。 |
