| 主权项 |
1.一种基板载置台之制造方法,具有:于基材表面形成介电性材料膜的步骤;及于前述介电性材料膜上藉由具有多数开口之开口板而熔射陶瓷,以形成由陶瓷所构成之多数凸部的步骤。2.如申请专利范围第1项之基板载置台之制造方法,其中更具有在前述基材与前述介电性材料膜之间形成一层以上之中间层的步骤。3.如申请专利范围第1项之基板载置台之制造方法,其中形成前述凸部的步骤系在将前述开口板于前述介电性材料膜上配置间隔而保持的状态下进行。4.如申请专利范围第3项之基板载置台之制造方法,其中于形成前述凸部的步骤中,将前述开口板于前述介电性材料膜上配置间隔而保持的状态,系将对应前述开口板之开口的外周缘更外侧的间隔构件介在前述开口板与前述介电性材料膜之间而形成。5.一种基板载置台之制造方法,具有:于基材上形成第1介电性材料膜的步骤;于前述第1介电性材料膜上形成第2介电性材料膜的步骤;及于前述第2介电性材料膜上藉由具有多数开口之开口板而熔射陶瓷,以形成由陶瓷所构成之多数凸部的步骤。6.如申请专利范围第5项之基板载置台之制造方法,其中更具有在前述基材与前述介电性材料膜之间形成一层以上之中间层的步骤。7.如申请专利范围第5项之基板载置台之制造方法,其中形成前述凸部的步骤系在将前述开口板于前述第2介电性材料膜上配置间隔而保持的状态下进行。8.如申请专利范围第7项之基板载置台之制造方法,其中于形成前述凸部的步骤中,将前述开口板于前述第2介电性材料膜上配置间隔而保持的状态,系将对应前述开口板之开口的外周缘更外侧的间隔构件介在前述开口板与前述第2介电性材料膜之间而形成。9.如申请专利范围第5项之基板载置台之制造方法,其中更具有在形成前述凸部之步骤之前,在前述第2介电性材料膜上形成一层以上之被覆层的步骤。10.一种基板载置台,具有:基材;形成于前述基材上的介电性材料膜;及于前述介电性材料膜上藉由熔射所形成之陶瓷所构成之多数凸部。11.如申请专利范围第10项之基板载置台,其中前述基材系作为静电夹盘之静电电极的功能。12.如申请专利范围第10项之基板载置台,其中前述凸部之高度为50~100m。13.如申请专利范围第10项之基板载置台,其中前述凸部之上部仅由曲面所构成。14.一种基板载置台,具有:基材;形成于前述基材上的第1介电性材料膜;形成在前述第1介电材料膜上的导电层;形成在前述导电层上的第2介电性材料膜;及于前述第2介电性材料膜上藉由熔射所形成之陶瓷所构成之多数凸部。15.如申请专利范围第14项之基板载置台,其中前述导电层系作为静电夹盘之静电电极的功能。16.如申请专利范围第14项之基板载置台,其中前述凸部之上部仅由曲面所构成。17.如申请专利范围第14项之基板载置台,其中前述凸部之高度为50~100m。18.一种基板处理装置,具有:收容基板的处理容器;设置于前述处理容器而可载置前述基板之基板载置台;对前述处理容器内供给处理气体之气体供给机构;及将前述处理容器予以排气之排气机构,且前述基板载置台具有:基材;形成于前述基材上的介电性材料膜;及于前述介电性材料膜上藉由熔射所形成之陶瓷所构成之多数凸部。19.一种基板处理装置,具有:收容基板的处理容器;设置于前述处理容器而可载置前述基板之基板载置台;对前述处理容器内供给处理气体之气体供给机构;及将前述处理容器予以排气之排气机构,且前述基板载置台具有:基材;形成于前述基材上的第1介电性材料膜;形成在前述第1介电材料膜上的导电层;形成在前述导电层上的第2介电性材料膜;及于前述第2介电性材料膜上藉由熔射所形成之陶瓷所构成之多数凸部。20.一种基板处理装置,具有:收容基板的处理容器;设置于前述处理容器而可载置前述基板之基板载置台;对前述处理容器内供给处理气体之气体供给机构;及将前述处理容器予以排气之排气机构,且前述基板载置台具有:矩形的基材;及形成在前述基材上之多数凸部,且前述多数凸部系配置成构成在前述基材上正交栅格而前述正交栅格之一侧轴与前述基材另一边所形成之角度系超过0而在45以下。21.如申请专利范围第20项之基板处理装置,其中前述凸部具有与前述基板点接触的形状。22.如申请专利范围第20项之基板处理装置,其中前述基板载置台之表面具有作为复数吹出口而开口的传热媒体流路。23.如申请专利范围第22项之基板处理装置,其中前述基板载置台之表面设置包围前述吹出口之外侧而具有前述凸部高度以上高度的段部。24.如申请专利范围第22项之基板处理装置,其中前述基板载置台之表面设置沿着该外缘部而具有比前述凸段高度以上的段部,于前述段部上面形成与比该段部更内侧之领域连通的沟部,并于前述沟部配置前述吹出口。25.一种基板处理装置,具有:收容基板的处理容器;设置于前述处理容器而可载置前述基板之基板载置台;对前述处理容器内供给处理气体之气体供给机构;及将前述处理容器予以排气之排气机构,且前述基板载置台具有:矩形的基材;及形成在前述基材上以不规则配置之多数凸部。26.如申请专利范围第25项之基板处理装置,其中前述凸部具有与前述基板点接触的形状。27.如申请专利范围第25项之基板处理装置,其中前述基板载置台之表面具有作为复数吹出口而开口的传热媒体流路。28.如申请专利范围第27项之基板处理装置,其中前述基板载置台之表面设置包围前述吹出口之外侧而具有前述凸部高度以上高度的段部。29.如申请专利范围第27项之基板处理装置,其中前述基板载置台之表面设置沿着该外缘部而具有比前述凸段高度以上的段部,于前述段部上面形成与比该段部更内侧之领域连通的沟部,并于前述沟部配置前述吹出口。图式简单说明:第1图表示包含本发明之一实施样态之支持器(基板载置台)的处理装置之例子的电浆蚀刻装置的断面图。第2图系用以说明第1图之支持器之凸部的至形成方法的断面图。第3图表示表示附着物附着于本发明之支持器之状态的断面图。第4图表示设置静电夹盘之其他实施样态之支持器的断面图。第5图A表示之另外其他实施样态之支持器的断面图。第5图B表示第5图A所示之支持器的部分平面图。第6图A表示其他实施样态之支持器的断面图。第6图B表示第6图A所示之支持器的部分平面图。第7图表示其他实施样态之支持器的平面图。第8图表示表示附着物附着于习知之支持器上之状态的断面图。 |
