| 主权项 |
1.一种QFN型半导体元件构装结构改良,其组成包括有金属底材、晶片及胶体,其中:该金属底材上具有晶片座,以及复数间隔排列于晶片座周边的引脚,晶片座与引脚间以及相邻引脚间具有隔离间隙;该晶片系黏着于金属底材之晶片座上,晶片上各I/O接点与对应之引脚间以金属线连接;该胶体系封固于金属底材一侧包覆晶片,且充填于金属底材之隔离间隙中,胶体侧边与引脚外侧端平齐,引脚之底面及外侧端面外露于胶体外,并于其上镀设可焊接金属材料的电镀层,藉电镀层让金属底材外露于胶体之部份予以完全包覆。2.如申请专利范围第1项所述之QFN型半导体元件构装结构改良,其中电镀层之可焊接金属材料为锡。3.如申请专利范围第1项所述之QFN型半导体元件构装结构改良,其中电镀层之可焊接金属材料为铅。4.如申请专利范围第1项所述之QFN型半导体元件构装结构改良,其中电镀层之可焊接金属材料为银。5.如申请专利范围第1项所述之QFN型半导体元件构装结构改良,其中电镀层之可焊接金属材料为金。6.如申请专利范围第1项所述之QFN型半导体元件构装结构改良,其中电镀层之可焊接金属材料为铋。7.如申请专利范围第1项所述之QFN型半导体元件构装结构改良,其中电镀层之可焊接金属材料为钯。图式简单说明:第一图系本创作之剖面示意图(代表图)。第二图系本创作焊设于电路板上之参考图。第三图系习用QFN型半导体元件构装结构示意图。第四图系习用QFN型半导体元件焊设于电路板上之参考图。 |
