| 主权项 |
1.一种李文森相位移光罩,包含一图案,其中一遮光部夹在一偏移部与一非偏移部间;且其中该偏移部与该非偏移部系形成为具有用以最小化光学近接效应之预定的形状。2.一种李文森相位移光罩,包含一图案,其中一线性遮光部夹在一偏移部与一非偏移部间;且其中定义为该偏移部与该非偏移部之垂直于该线性遮光部之纵方向之宽度的复数个开口宽度系用以最小化光学近接效应之预定的宽度。3.如申请专利范围第2项之李文森相位移光罩,其中除了整体图案将形成于一光阻膜上的一区域之一开口宽度以外,该复数个开口宽度系用以最小化光学近接效应之预定的宽度。4.如申请专利范围第2项之李文森相位移光罩,其中具有不同的图案之复数个李文森相位移光罩使用于多重曝光。5.如申请专利范围第3项之李文森相位移光罩,其中具有不同的图案之复数个李文森相位移光罩使用于多重曝光。6.一种精细图案之形成方法,利用复数个如申请专利范围第4项之李文森相位移光罩,包含下列步骤:利用该复数个李文森相位移光罩中之每一个依序曝光同一个光阻膜之步骤。7.一种精细图案之形成方法,利用复数个如申请专利范围第5项之李文森相位移光罩,包含下列步骤:利用该复数个李文森相位移光罩中之每一个依序曝光同一个光阻膜之步骤。8.一种精细图案之形成方法,利用复数个如申请专利范围第4项之李文森相位移光罩,包含下列步骤:利用该复数个李文森相位移光罩中之每一个依序曝光同一个光阻膜之步骤;以及最后,利用一用以修整之通常光罩曝光该光阻膜之步骤。9.一种精细图案之形成方法,利用复数个如申请专利范围第5项之李文森相位移光罩,包含下列步骤:利用该复数个李文森相位移光罩中之每一个依序曝光同一个光阻膜之步骤;以及最后,利用一用以修整之通常光罩曝光该光阻膜之步骤。10.如申请专利范围第6项之精细图案之形成方法,其中该光阻膜系用于形成一电晶体之一闸极,且该遮光部系对应于一闸极部。11.如申请专利范围第7项之精细图案之形成方法,其中该光阻膜系用于形成一电晶体之一闸极,且该遮光部系对应于一闸极部。12.如申请专利范围第8项之精细图案之形成方法,其中该光阻膜系用于形成一电晶体之一闸极,且该遮光部系对应于一闸极部。13.如申请专利范围第9项之精细图案之形成方法,其中该光阻膜系用于形成一电晶体之一闸极,且该遮光部系对应于一闸极部。图式简单说明:图1A至1E显示本发明之李文森光罩之第一实施例及利用此李文森光罩以形成精细图案之方法之平面图,其中图1A显示电路图案、图1B显示第一李文森光罩、图1C显示第二李文森光罩、图1D显示通常光罩、且图1E显示光阻图案;图2显示用以设计图1B至1D所示的李文森光罩与通常光罩之方法之流程图;图3A至3D显示本发明之李文森光罩之第二实施例之平面图,其中图3A显示电路图案、图3B显示第一李文森光罩、图3C显示第二李文森光罩、且图3D显示通常光罩;图4A至4D显示本发明之李文森光罩之第三实施例之平面图,其中图4A显示电路图案、图4B显示第一李文森光罩、图4C显示第二李文森光罩、且图4D显示通常光罩;图5系用以比较习知例子与本发明之例子中之光学近接效应之图表;图6A与6B系用以比较习知例子(图6A)与本发明之例子(图6B)中光强度分布之图表;以及图7A至7D显示习知的李文森光罩及利用此习知的李文森光罩以形成精细图案之方法之平面图,其中图7A显示电路图案、图7B显示李文森光罩、图7C显示通常光罩、且图7D显示光阻图案。 |
