动态矩阵型液晶显示装置

摘要

本发明提供一种液晶显示装置，系对利用矩形波的脉冲输入闸极电压时，藉由闸极线和像素电极的寄生电容，随着闸极电压下降，使像素电极电压产生变动，即所谓产生下降电压之现象，提供解供方案，即使寄生电容大，电压下降不会太大之液晶显示装置。本发明之动态矩阵型液晶显示装置，因下降电压系在闸门电压产生变化时根据固定数而不同，因此可藉由缓化闸门电压的下降，以形成图3(b)的波形，使下降电压变小。图3(b)的波形 ，举例而言，可藉由将闸门驱动器8的n沟道晶体管的沟道宽度设定调小，使最大电流值也将随之变小。

主权项

1.一种动态矩阵形液晶显示装置,具有:复数之闸极线;与前述复数之闸极线交差之复数资料线;对应配置于前述之复数闸极线及前述复数之资料线之交差点,具备闸极电极及源极区域以及汲极区域,前述之闸极线中的一条与前述之闸极电极相连接,前述之资料线中之一条和前述的汲极区域相连接之复数薄膜电晶体;与前述的电晶体的源极区域分别连接之复数像素电极;最少和前述之复数闸极电极的其中一端相连接,依序选择前述闸极线其中的一条,于选择之闸极线依序施加脉冲状之闸极电压之闸极线驱动器;于与前述复数之像素电极相对向,夹有液晶层之相对电极;其特征为前述闸极线驱动器之闸极电压相较于前述之闸极电压之上昇较为缓慢之下降而施加。2.一种动态矩阵形液晶显示装置,具有:复数之闸极线;与前述复数之闸极线交差之复数资料线;对应配置于前述复数之闸极线和前述复数资料线之交差点;具备闸极电极及源极区域以及汲极区域,前述之闸极线中之一条与前述闸极电极相连接,而前述之资料线中之一条与前述之汲极区域相连接之复数薄膜电晶体;分别连接于前述薄膜电晶体之源极区域之复数像素电极;至少与前述之复数的闸极电极的其中一端相连接,依序选择前述闸极线其中之一条,于所选择之闸极线依序施加脉冲状闸极电压之闸极线驱动器;与前述复数之像素电极相对向,夹有液晶体之对向电极;其特征为:前述闸极线驱动器施加之闸极电压若比较前述闸极电压下降所需之时间与上昇所需之时间,则使下降所需之时间为较长者。3.如申请专利范围第1或第2项之动态矩阵型液晶显示装置,其中,前述闸极电压,由结束对像素电极施加电压,到开始对下一列之像素电极施加电压为止之时间t,以t至少一半之时间t/2缓慢下降。4.如申请专利范围第1或第2项之动态矩阵型液晶显示装置,其中,上述之闸极电压,以上昇所需之时间的至少10倍左右之时间缓慢下降。5.如申请专利范围第1或第2项之动态矩阵型液晶显示装置,其中,前述闸极线驱动器具有:和前述闸极线相连接之最终段闸极缓冲器;而前述闸极缓冲器至少拥有,及极区域连接于前述之闸极线,源极区域所接地之薄膜电晶体;将前述闸极线与连接该闸极线之薄膜电晶体之闸极电极组合之电阻値设定为R1.将前述闸极线与前述资料线所形成之电容和前述闸极线与前述相对电极所形成之电容,以及连接于像素电极之薄膜电晶体之活性层与闸极电极所形成之电容量之合计为C1;将前述闸极缓冲器之薄膜电晶体的通道电阻値设定为R2;并将前述闸极缓冲器之薄膜电晶体之活性层和前述闸极电极所形成之电容量设定为C2;结束对像素电极拖加电压后,至重新开始下一次施加电压的时间,将该时间设定为t,即可符合以下之程式,2.5(R1+R2).(C1+C2)1之条件。9.如申请专利范围第7项之动态矩阵型液晶显示装置,其中,该装置需符合(前述p型通道薄膜电晶体之W/L)/(前述n型通道薄膜电晶体之W/L)>5之条件。10.如申请专利范围第1项之动态矩阵型液晶显示装置,其中,前述闸极线驱动器具有连接前述闸极线之最终段之闸极缓冲器;前述闸极缓冲器具有薄膜电晶体;前述薄膜电晶体的电流流动方向的部分之长度L以及与前述长度垂直方向之宽度W满足W/L=1之条件。11.如申请专利范围第1项之动态矩阵型液晶显示装置,其中,前述闸极线驱动器具有:连接前述闸极线之最终段的闸极缓冲器;而前述闸极缓冲器具有,源极区域与电源相接之p型通道薄膜电晶体及、源极区域接地之n型通道薄膜电晶体;如将薄膜电晶体的电流流动方向的部分之长度设定为L,将与前述长度L垂直方向之宽度设定为W,则前述p型通道薄膜电晶体的W/L値与前述n型通道薄膜电晶体的W/L之値为不同之数値。图式简单说明:【第1图】液晶显示装置之平面图。【第2图】液晶显示装置之显示1像素之等数电路。【第3图】输入闸极线的缓冲波形之图示。【第4图】显示输入资料录和闸极线之电压之时序图。【第5图】根据闸极缓冲器电晶体的纵横比之V变化之图示。