| 主权项 |
1.一种用以在半导体基板上曝光辐射敏感光阻层之光微影蚀刻罩,该罩:-至少具有一辐射传导基板,且至少具有一辐射不传导层及/或至少具有一中间色调层;-该辐射不传导层及/或该中间色调层系用以产生主要特征(12.13.14.20.21.22),这些主要特征(12.13.14.20.21.22)之形成方式系使这些主要特征(12.13.14.20.21.22)所产生之图案可于受照射时转换至光阻层中;以及-该辐射不传导层及/或该中间色调层系用以产生辅助特征(15.16.25.26),这些辅助特征(15.16.25.26)之形成方式系使这些辅助特征(15.16.25.26)所产生之图案于受照射时不致转换至光阻层中,其特征为:-对至少在其局部片段区域中朝向第一方向的一主要特征(13.14.20.21.22)而言,邻近该片段区域至少有两个辅助特征(15.25)系朝向实质上垂直于该第一方向的第二方向。2.如申请专利范围第1项之光微影蚀刻罩,其特征为:在两个直接相邻而至少在其局部片段区域中系实质上平行地朝向第一方向的主要特征(13.14.20.21.22)之间,至少有两个辅助特征(15.25)系朝向实质上垂直于该第一方向的第二方向。3.如申请专利范围第1项之光微影蚀刻罩,其特征为:该辅助特征(15.25)之形状为矩形。4.如申请专利范围第1项之光微影蚀刻罩,其特征为:辅助特征(15)系由三角形所构成。5.如申请专利范围第1.2或3项之光微影蚀刻罩,其特征为:辅助特征(15)之宽度b系介于/(10NA)<b</(3NA)之范围内。6.如申请专利范围第4项之光微影蚀刻罩,其特征为:辅助特征(15)之宽度b系介于/(10NA)<b</(3NA)之范围内。7.如申请专利范围第1.2.3或4项之光微影蚀刻罩,其特征为:主要特征(13.14.20.21.22)间之距离D系介于/(2NA)<D<3/NA之范围内。8.如申请专利范围第6项之光微影蚀刻罩,其特征为:主要特征(13.14.20.21.22)间之距离D系介于/(2NA)<D<3/NA之范围内。9.如申请专利范围第1.2.3或4项之光微影蚀刻罩,其特征为:辅助特征(15.25)与主要特征间之距离x系介于/(5NA)<x<2/(3NA)之范围内。10.如申请专利范围第8项之光微影蚀刻罩,其特征为:辅助特征(15.25)与主要特征间之距离x系介于/(5NA)<x<2/(3NA)之范围内。11.如申请专利范围第1.2.3或4项之光微影蚀刻罩,其特征为:辅助特征(15.25)间之距离d系介于/(3NA)<d<3/(2NA)之范围内。12.如申请专利范围第10项之光微影蚀刻罩,其特征为:辅助特征(15.25)间之距离d系介于/(3NA)<d<3/(2NA)之范围内。13.如申请专利范围第1.2.3或4项之光微影蚀刻罩,其特征为:对至少在其局部片段区域中朝向第一方向的一主要特征(13.14.20.21.22)而言,邻近该片段区域至少有四个辅助特征(15.25)系朝向实质上垂直于该第一方向的第二方向。14.如申请专利范围第12项之光微影蚀刻罩,其特征为:对至少在其局部片段区域中朝向第一方向的一主要特征(13.14.20.21.22)而言,邻近该片段区域至少有四个辅助特征(15.25)系朝向实质上垂直于该第一方向的第二方向。15.如申请专利范围第1.2.3或4项之光微影蚀刻罩,其特征为:各主要特征之长度对宽度比例系大于2。16.如申请专利范围第12项之光微影蚀刻罩,其特征为:各主要特征之长度对宽度比例系大于2。图式简单说明:图1为依据本发明之第一项具体实施例的一光微影蚀刻罩;图2为依据本发明之另一项具体实施例的一光微影蚀刻罩;图3显示辐射强度如何相依于对图2中之光微影蚀刻罩照射辐射的散焦;图4为依据先前技艺之一光微影蚀刻罩;图5显示辐射强度如何相依于对图4中之光微影蚀刻罩辐射的散焦;图6为依据先前技艺之另一光微影蚀刻罩;图7显示辐射强度如何相依于对图6中之光微影蚀刻罩照射辐射的散焦;以及图8为依据本发明之另一项具体实施例的一光微影蚀刻罩。 |
