发明名称 用以控制充电粒子束之分裂磁性透镜
摘要 一种磁性透镜能集中产生自某装置的充电粒子束至一个极小点(spot),以获得一个样品的特性。将绕线线圈分配成一次线圈与二次线圈,以产生此磁通(magneticflux)模型。如此将能获取得更快速之磁通调整,且具有改良的解析度。
申请公布号 TW548664 申请公布日期 2003.08.21
申请号 TW090120545 申请日期 2001.08.21
申请人 史兰宝科技公司 发明人 亚伦 I 鲁宾
分类号 G21K1/08 主分类号 G21K1/08
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种磁性透镜之绕线线圈,该磁性透镜能控制充电粒子束,包括:一种线圈架配置;线绕于该线圈架配置的一个一次绕线,且其具有选定数目之安培匝数;且线绕于该线圈架配置的一个二次绕线,且其具有选定数目之安培匝数;其中,该二次绕线之安培匝数实质上系小于该一次绕线之安培匝数。2.如申请专利范围第1项之绕线线圈,其中该二次绕线之安培匝数系为该一次绕线之安培匝数的1%至20%的范围内。3.如申请专利范围第1项之绕线线圈,其中该二次绕线之安培匝数系为该一次绕线之安培匝数的5%至10%的范围内。4.如申请专利范围第1项之绕线线圈,其中该线圈架配置包括一个线轴与该一次与二次绕线,此等绕线系线绕于该线轴的不同轴向部分且彼此系区隔开来。5.如申请专利范围第4项之绕线线圈,其中该线圈架配置包括一个第一凸缘,此第一凸缘由该线轴延伸,且插入于该一次绕线与二次绕线间。6.如申请专利范围第5项之绕线线圈,其中该线圈架配置包括一个第二凸缘,此第二凸缘由该线轴延伸,且其中该一次绕线系位于该第一与第二凸缘间之位置。7.如申请专利范围第6项之绕线线圈,其中该线圈架配置包括一个第三凸缘,此第三凸缘由该线轴延伸,且其中该二次绕线系位于该第二与第三凸缘间之位置。图式简单说明:图1系先前技艺扫描电子显微镜的横截面。图2显示一台扫描电子显微镜之先前技艺主题透镜的横截面。图3显示根据本发明,具有绕线安排的一台扫描电子显微镜之主题透镜。图4显示根据本发明,配置之绕线线圈的透视图。图5显示,示于图4之绕线线圈的线圈架之透视图。图6显示,示于图5之线圈架之正视图。图7显示,示于图4之绕线线圈之顶视图。
地址 美国