| 主权项 |
1.一种晶圆区压力束制环,其系制造成使其中具有至少一个悬挂孔;该悬挂孔可接受地容许一配合部份,其系附接到一室之内部,用以结合该环。2.如申请专利范围第1项之晶圆区压力束制环,其中该至少一个悬挂孔之数目计有三个悬挂孔,该些孔间隔120度的距离。3.如申请专利范围第1项之晶圆区压力束制环,其中该悬挂孔系扭转地附接到该室之内部。4.如申请专利范围第1项之晶圆区压力束制环,其中该悬挂孔系经由室活塞,扭转地附接到该室之内部。5.如申请专利范围第1项之晶圆区压力束制环,其中该悬挂孔系藉着以悬挂孔对齐该转接器,而与一扭转锁定转接器配合;以及垂直于转接器移动该压力束制环,以致将该转接器安装于该悬挂孔之前面部份中,且藉着该晶圆区压力束制环之一5度的扭转,将该转接器附接到该悬挂孔之后面部份。6.如申请专利范围第1项之晶圆区压力束制环,其中该环系由一电介质材料所制造。7.如申请专利范围第6项之晶圆区压力束制环,其中该电介质材料系为石英。8.一种附接的方法,用以将至少一个晶圆区压力环附接到一电浆加工室之内部,该方法包含:提供一悬挂转接器,用以悬挂于该室之顶;对齐悬挂转接器,使该转接器与一悬挂孔对齐,该悬挂孔包含在至少一晶圆区压力环上;及垂直于该转接器移动该至少一个晶圆区压力环,以致将该转接器安装在该悬挂孔之前面部份中,且藉着该晶圆区压力束制装置之一5度的扭转,将该转接器附接到悬挂孔的后面部份。9.一种电浆加工室,其包含:用以容纳一有助于蚀刻之气体媒介物的装置;一对平行之电极,该对电极之间界定一互动空间,其中当提供无线电频率能量,以在该些电极之间建立一放电(用以离子化该气体媒介物)时,产生能够蚀刻一工作部件的一电浆,该工作部件系支撑在该些电极其中之一者上;一叠至少三个环,其系彼此间隔开来,以便在其间形成缝,且围绕着该互动空间加以放置,用以控制用过之气体的出口,以及当带电微粒离开该互动空间时用以中和该些微粒,且从而用以实质上将放电束制到该互动空间,透过使用在各该至少三个环中所制造之悬挂孔,将该叠至少三个环扭转地附接到室活塞;一具有一在约1.5到2.5百万赫范围之频率的第一无线电频率电压来源;一具有一在约25到30百万赫范围之频率的第二无线电频率电压来源;经由一阻抗配合电路,该第一来源系耦合到第一电极,且经由一低通过过滤器耦合到其一接地回路;及经由一阻抗配合电路,该第二无线电频率电压来源系偶合到第二电极,且经由一高通过过滤器耦合到一接地回路。10.一种束制总成,其包含:一圆形环;其中藉由钻二个圆形孔制造悬挂孔:一接受孔与锁定孔,该等孔彼此偏离但非常紧密靠近;该第一接受孔之钻孔直径在钻孔加工之全部深度系为固定;该第二锁定孔之钻孔直径与该些第一接受孔直径一致穿过钻孔之一部份,且接着在钻孔之剩余部份逐渐缩小。图式简单说明:图1系为一习知技艺WAP环总成与附接总成的示意剖面图;图2系为一300公厘扭转锁定WAP环与附接总成的示意剖面图;图3系为一安装后之300公厘扭转锁定WAP环总成的示意剖面图;图4系为一WAP扭转锁定吊架转接器的示意图,且图4a显示一立体图、图4b显示一俯视图、图4c显示一侧面图,且图4d显示一横剖面图;图5a系为一300公厘扭转锁定WAP环之底视图,且图5b中显示一底部立体图;图6a系为图5之细部2的一放大概要图,其显示该悬挂孔;图6b系为沿着图6a之直线3-3所取得的悬挂孔之一截除图;图6c系为沿着图5之直线1-1所取得的300公厘扭转锁定WAP环之一横剖面图;图7a系为该300公厘扭转锁定梯状吊架之一立体图;图7b系为该300公厘扭转锁定梯状吊架之一侧面概要图;图7c系为该300公厘扭转锁定梯状吊架之一俯视图;图8a系为一200公厘扭转锁定WAP环之底视图;图8b显示一200公厘扭转锁定WAP环之一底部立体图;图9a系为一200公厘扭转锁定WAP环之一俯视图;图9b系为沿着图8之直线4-4所取得的200公厘扭转锁定WAP环之一横剖面图;图9c系为图9b中所界定之细部5的一放大概要图;图10系为该200公厘WAP环吊架之一概要图,亦即图10a显示一立体概要图、图10b显示一俯视图及图10c显示一侧视图;图11系为一WAP环吊架螺帽之概要图,亦即图11a显示一立体概要图、图11b显示一俯视图、及图11c显示一侧视图;图12系为安装后之扭转锁定WAP环总成之一概要图,该总成处于其锁定位置,并从下方立体观察,且截除该三个下环,以露出该总成。 |
