| 主权项 |
1.一种周边储存装置缓冲系统,包括:一第一记忆装置;及一控制电路以电连通该第一记忆装置,一处理器联结一周边储存装置,及一缓冲管理器联结该周边储存装置,该控制电路于此具有联结之控制状态;其中该控制电路适用于根据该控制状态在该第一记忆装置与该处理器间,或该第一记忆装置与该缓冲管理器间选择性提供电连通。2.如申请专利范围第1项之缓冲系统,其中该控制电路以电连通一第二记忆装置,该第二记忆装置联结该周边储存装置,且其中该控制电路根据该控制状态在该第一记忆装置与该处理器及该缓冲管理器之一之间选择性提供电连通,且根据该控制状态在该第二记忆装置与该处理器及该缓冲管理器之另一者之间选择性提供电连通。3.如申请专利范围第2项之缓冲系统,其中该控制状态包括第一状态及第二状态之一;其中如果该控制状态包括第一状态,则该控制状态适于在该第一记忆装置与该处理器之间提供电连通,并在该第二记忆装置与该缓冲管理器之间提供电连通;及其中如果该控制状态包括第二状态,则该控制状态适于在该第一记忆装置与该缓冲管理器之间提供电连通。4.如申请专利范围第3项之缓冲系统,其中使用与该控制电路联结之控制暂存器即可配置该控制状态,而其中该控制暂存器适于藉由处理器程式化。5.如申请专利范围第3项之缓冲系统,其中使用指示该第二记忆装置是否与该缓冲管理器电连接之信号即可配置该控制状态。6.如申请专利范围第5项之缓冲系统,其中如果该信号指示该第二记忆装置以电连接该缓冲管理器,该控制状态即包括第一状态,而其中如果该信号指示该第二记忆装置未以电连接该缓冲管理器,该控制状态即包括第二状态。7.如申请专利范围第1项之缓冲系统,其中如果该控制状态包括第一状态或第二状态,而且如该控制状态包括第一状态,该控制电路适于在该第一记忆装置与该处理器之间提供电连通,而如该控制状态包括第二状态,该控制电路适于在该第一记忆装置与该缓冲管理器之间提供电连通。8.如申请专利范围第7项之缓冲系统,其中该控制状态可使用与该控制电路联结之控制暂存器完成配置,而其中该控制暂存器适于藉由处理器程式化。9.如申请专利范围第7项之缓冲系统,其中使用指示该第二记忆装置是否与该缓冲管理器电连接之信号即可配置该控制状态。10.一种周边储存装置系统,包括:一周边储存装置提供主机电脑系统之资讯储存;一控制器具有缓冲管理器电路以电连接该周边储存装置,其中该控制器适于控制该周边储存装置之操作;一处理器以电连接该控制器;及一周边储存装置缓冲系统,包括:一第一记忆装置;又一控制电路以电连通该第一记忆装置,该处理器及该缓冲管理器电路,该控制电路于此具有联结之控制状态;其中该控制电路根据该控制状态在该第一记忆装置与该处理器及该缓冲管理器之一之间选择性提供电连通。11.如申请专利范围第10项之周边储存装置系统,其中该控制电路以电连接一第二记忆装置,该第二记忆装置联结该周边储存装置,而且其中该控制电路根据该控制状态在该第一记忆装置与该处理器及该缓冲管理器之一之间选择性提供电连通,并在该第二记忆装置与处理器及缓冲管理器另一者之间选择性提供电连通。12.如申请专利范围第11项之周边储存装置系统,其中该控制状态包括第一状态及第二状态其中之一;其中如果该控制状态包括第一状态,则该控制状态适于在该第一记忆装置与该处理器之间提供电连通,并在该第二记忆装置与该缓冲管理器之间提供电连通;及其中如果该控制状态包括第二状态,则该控制状态适于在该第一记忆装置与该缓冲管理器之间提供电连通。13.如申请专利范围第12项之周边储存装置系统,其中该控制状态使用与该控制电路联结之控制暂存器即可配置该控制状态,而其中该控制暂存器适于藉由处理器程式化。14.如申请专利范围第12项之周边储存装置系统,其中使用指示该第二记忆装置是否与该缓冲管理器电连接之信号即可配置该控制状态。15.如申请专利范围第14项之周边储存装置系统,其中如果该信号指示该第二记忆装置以电连接该缓冲管理器,该控制状态即包括第一状态,而其中如果该信号指示该第二记忆装置未以电连接该缓冲管理器,该控制状态即包括第二状态。16.如申请专利范围第10项之周边储存装置系统,其中如果该控制状态包括第一状态或第二状态,而且如该控制状态包括第一状态,该控制电路适于在该第一记忆装置与该处理器之间提供电连通,而如该控制状态包括第二状态,该控制电路适于在该第一记忆装置与该缓冲管理器之间提供电连通。17.如申请专利范围第16项之周边储存装置系统,其中使用与该控制电路联结之控制暂存器即可配置该控制状态,而其中该控制暂存器适于藉由处理器程式化。18.如申请专利范围第16项之周边储存装置系统,其中该控制状态使用指示该第二记忆装置是否与该缓冲管理器电连接之信号即可配置该控制状态。19.如申请专利范围第10项之周边储存装置系统,其中该周边储存装置为磁碟机,磁带机,光碟机或唯读光碟(CDROM)机。20.一种用以在一周边储存装置系统中提供缓冲记忆体之方法,包括:以电连接一缓冲系统与一缓冲管理器及一与该周边储存装置系统联结之处理器,该缓冲系统具有一第一记忆装置及一联结控制状态之控制装置;如该控制状态包括第一状态,则使用该控制装置在该第一记忆装置与该处理器之间选择性提供电连通;及如该控制状态包括第二状态,则使用该控制装置在该第一记忆装置与该缓冲管理器之间选择性提供电连通。21.如申请专利范围第20项之方法,更包括如该控制状态包括第一状态,则使用该控制装置在与该周边储存装置系统联结之第二记忆装置与该缓冲管理器之间选择性提供电连通。图式简单说明:图1系使用到本发明至少一概念之典型周边储存装置系统之示意说明;图2系一磁碟机系统控制器,处理器及联结记忆系统之示意说明;图3系根据本发明概念之典型具有记忆装置及控制电路之缓冲系统示意说明;图4系图3典型缓冲系统之典型控制电路示意说明;图5系根据本发明示意说明一典型磁碟机系统控制器,处理器及联结记忆系统,以及对内部记忆装置及对外部资料缓冲器选择性提供存取之一典型缓冲系统;图6系图5典型缓冲系统之示意说明,该系统并无外部资料缓冲器;及图7系根据本发明另一概念之典型方法示意说明。 |
