| 主权项 |
1.一种形成半导体孔洞的方法,适于在一光阻层中形成复数个孔洞,包括:利用一第一光罩对该光阻层进行第一次曝光,其中该第一光罩的图案系对角的复数个第一多边形图案,且该些第一多边形图案以一第一排列方向分别旋转一固定角度;利用一第二光罩对该光阻层进行第二次曝光,其中该第二光罩系对角的复数个第二多边形图案,且该些第二多边形图案以该第一排列方向分别旋转该固定角度,并与该些第一多边形图案的位置呈镜像排列;以及对该光阻层进行一显影制程,以形成该些孔洞。2.如申请专利范围第1项所述之形成半导体孔洞的方法,其中该固定角度为45度。3.如申请专利范围第1项所述之形成半导体孔洞的方法,其中该些多边形图案适用于正光阻进行曝光所用之光罩。4.如申请专利范围第1项所述之形成半导体孔洞的方法,其中形成该些孔洞之后,更包括进行一离子植入制程。5.如申请专利范围第4项所述之形成半导体孔洞的方法,其中该离子植入制程之后,更包括去除该光阻层。6.如申请专利范围第1项所述之形成半导体孔洞的方法,其中形成该些孔洞之后,更包括进行一蚀刻制程。7.如申请专利范围第6项所述之形成半导体孔洞的方法,其中该蚀刻制程之后,更包括去除该光阻层。8.一种离子植入制程,包括:于一基底上形成一介电层;于该介电层上形成一光阻层;利用具有对角的复数个第一多边形图案的一第一光罩进行第一次曝光,且该些第一多边形图案以一第一排列方向分别旋转一固定角度;利用具有对角的复数个第二多边形图案的一第二光罩进行第二次曝光,其中该些第二多边形图案以该第一排列方向分别旋转该固定角度,并与该些第一多边形图案的位置呈镜像排列;对该光阻层进行一显影制程,以形成复数个孔洞,并暴露出部分该介电层;以及进行一离子植入制程。9.如申请专利范围第8项所述之离子植入制程,其中该固定角度为45度。10.如申请专利范围第8项所述之离子植入制程,其中该些多边形图案适用于正光阻进行曝光所用之光罩。11.如申请专利范围第8项所述之离子植入制程,其中该离子植入制程之后,更包括去除该光阻层。12.如申请专利范围第8项所述之离子植入制程,其中于该基底上形成该介电层之后,更包括平坦化该介电层。13.一种形成接触窗洞的方法,包括:于一基底上形成一介电层;于该介电层上形成一光阻层;利用具有对角的复数个第一多边形图案的一第一光罩进行第一次曝光,且该些第一多边形图案以一第一排列方向分别旋转一固定角度;利用具有对角的复数个第二多边形图案的一第二光罩进行第二次曝光,其中该些第二多边形图案以该第一排列方向分别旋转该固定角度,并与该些第一多边形图案的位置呈镜像排列;对该光阻层进行一显影制程,以形成复数个孔洞,并暴露出部分该介电层;以及以具有该些孔洞的该光阻层作为罩幕,对该介电层进行一蚀刻制程,以形成复数个接触窗洞。14.如申请专利范围第13项所述之形成接触窗洞的方法,其中该固定角度为45度。15.如申请专利范围第13项所述之形成接触窗洞的方法,其中该些多边形图案适用于正光阻进行曝光所用之光罩。16.如申请专利范围第13项所述之形成接触窗洞的方法,其中对该介电层进行该蚀刻制程之后,更包括去除该光阻层。17.如申请专利范围第13项所述之形成接触窗洞的方法,其中在该基底上形成该介电层之后,更包括平坦化该介电层。18.一种形成半导体孔洞的方法,适于在一光阻层中形成复数个孔洞,包括:利用一第一光罩对该光阻层进行第一次曝光,其中该第一光罩的图案系对角的复数个第一正方形图案,且该些第一正方形图案以一第一排列方向分别旋转一固定角度;利用一第二光罩对该光阻层进行第二次曝光,其中该第二光罩系对角的复数个第二正方形图案,且该些第二正方形图案以该第一排列方向分别旋转该固定角度,并与该些第一正方形图案的位置呈镜像排列;以及对该光阻层进行一显影制程,以形成该些孔洞。19.如申请专利范围第18项所述之形成半导体孔洞的方法,其中该固定角度为45度。20.如申请专利范围第18项所述之形成半导体孔洞的方法,其中该些正方形图案适用于正光阻进行曝光所用之光罩。21.如申请专利范围第18项所述之形成半导体孔洞的方法,其中形成该些孔洞之后,更包括进行一离子植入制程。22.如申请专利范围第21项所述之形成半导体孔洞的方法,其中该离子植入制程之后,更包括去除该光阻层。23.如申请专利范围第18项所述之形成半导体孔洞的方法,其中形成该些孔洞之后,更包括进行一蚀刻制程。24.如申请专利范围第23项所述之形成半导体孔洞的方法,其中该蚀刻制程之后,更包括去除该光阻层。图式简单说明:第1A、1B图以及第2A、2B图是习知一种利用两次曝光来形成半导体孔洞的制造流程示意图;第3图是依照本发明一较佳实施例之形成半导体孔洞的制造步骤图;以及第4图是依照本发明一较佳实施例之形成半导体孔洞的布局俯视图。 |
