| 主权项 |
1.一种用以在一储存电容器上之一位置自一深沟槽之一第一内部表面清除一隔离环圈而在该深沟槽其它表面留下该隔离环圈之方法,该方法包括:在该储存电容器之一节点导体上沉积一障碍材料;沉积一矽层覆盖在该障碍材料上;以一角度植入掺杂离子至该深沟槽内之该沉积矽层,由此留下沿着该深沟槽一侧未被植入之沉积矽;蚀刻该未被植入之矽;及移除先前由该未植入矽所涵盖位置中之隔离环圈,留下由该植入矽所涵盖位置中之隔离环圈。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该沉积矽系未掺杂的。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该沉积矽系大量未掺杂的。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该障碍材料包括一氮化物。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中该沉积矽包括非结晶矽。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中该掺杂离子包括正电荷离子。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中该掺杂离子包括硼离子。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中进一步包括:以一氧化物预先填充该深沟槽覆盖于该障碍材料上;在沉积该矽层前凹陷该氧化物于该深沟槽中以减少该深沟槽之纵横比。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中该氧化物系从一四乙正矽酸盐先驱物中作沉积。10.根据申请专利范围第1项之方法,其中进一步包括:在植入该掺杂离子后执行一氧化循环以选择性地氧化该掺杂离子已植入于其中之该矽层部份;及蚀刻该矽层较少氧化部份。11.根据申请专利范围第1项之方法,其中移除该隔离环圈包括:在该深沟槽壁上所植入之矽上沉积一第二障碍层;蚀刻其上未具有该障碍层之部份该植入之矽;及蚀刻该环圈之一上面部份。12.一种用以在一储存电容器上之一位置自一深沟槽之一第一内部表面清除一隔离环圈而在该深沟槽其它表面留下该隔离环圈之方法,该方法包括:凹陷一深沟槽填充至一带底部之位准;沉积一光阻遮罩覆盖在该深沟槽中之部份内衬上;使用该光阻遮罩以向下蚀刻该内衬之未遮罩部份至一填充该深沟槽之多晶矽顶部;使该光阻遮罩成为带状;及蚀刻该隔离环圈,留下由该内衬所涵盖之位置中之隔离环圈。13.根据申请专利范围第12项之方法,其中进一步包括:形成一埋入带;沉积一沟槽顶部介电质在该深沟槽中之表面上;移除在该深沟槽之侧壁及邻近深沟槽间之区域顶部上之该沟槽顶部介电质部份;在一该隔离环圈蚀刻所在之深沟槽之一侧壁上成长闸极氧化物;及于该深沟槽顶部中沉积闸极导体多晶矽。图式简单说明:图1表示一交叉点DRAM记忆体阵列之顶部剖面图;图2-7表示根据本发明方法之一具体实施例根据本发明之不同阶段之一结构之一具体实施例之剖面图;图8-13表示根据本发明方法之另一具体实施例根据本发明之不同阶段之一结构之一具体实施例之剖面图;图14-25,其包含图16A、17A、18A、19A与22A,表示根据本发明方法之一进一步具体实施例根据本发明之不同阶段之一结构之一具体实施例之剖面图;及图26-28,其包含图28A,表示根据本发明方法之一进一步具体实施例根据本发明之不同阶段之一结构之一具体实施例之剖面图。 |
