| 主权项 |
1.一种在积体线路元件中具有增进隔离效果之自对准接触制作方法,该方法包括下列步骤:提供一半导体底材;依序沈积一闸极氧化层、一多晶矽层以及一金属矽化物层于该半导体底材上表面;依序沈积一第一氧化矽层、一第一氮化矽层以及一第二氧化矽层于该金属矽化物层上表面,以形成氧化物-氮化物-氧化物硬式罩幂堆叠结构;进行第一次蚀刻程序,以移除未被该硬式罩幂堆叠结构遮盖之该金属矽化物层与厚度少于50%之部分该多晶矽层;对该半导体底材进行湿蚀刻程序,以形成超环面形状凹陷于该第一氮化矽层与该金属矽化物层之间,其中该湿蚀刻程序中所使用之蚀刻剂,对该第一氧化矽层具有低蚀刻选择比;进行第二次蚀刻程序,以移除剩余之该多晶矽层;全面沈积第二氮化矽层于该半导体底材上,且充填于该超环面形状凹陷中;对该第二氮化矽层进行非等向蚀刻程序,以形成第一氮化矽间隙壁于该第二氧化矽层、该第一氮化矽层、该第一氧化矽层与多晶矽化金属闸极之侧壁,其中该多晶矽化金属闸极系由该金属矽化物层与该多晶矽层所构成;依序沈积一内连线介电层与一光阻层于该半导体底材上;进行微影制程,以在该光阻层中形成接触窗图案;以及进行第三次蚀刻程序,以在该接触窗图案下方之该内连线介电层中形成接触窗与第二氮化矽间隙壁,其中该第二氮化矽间隙壁系藉由对该第一氮化矽间隙壁继续蚀刻而成,且该第二氮化矽间隙壁系用以增进该多晶矽化金属闸极与后续欲填充于该接触窗中之金属间的隔离。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该湿蚀刻程序系使用稀释之氟化氢溶液为蚀刻剂,以形成该超环面形状凹陷。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属矽化物层为钨矽化物层。4.如申请专利范围第1项之方法,其中在该第一次蚀刻程序中移除之部分该多晶矽层厚度为少于原有该多晶矽层厚度之80%。5.如申请专利范围第1项之方法,更包含填充金属于该导线开口中,以形成一接触。6.一种具有自对准接触之半导体元件结构,该半导体元件结构至少包括:一半导体底材;一闸极氧化层,系位于该半导体底材之上表面;一闸极结构,系位于该闸极氧化层之上表面;一第一氧化层,系位于该闸极结构上表面,其中该第一氧化层之宽度较该闸极结构之宽度为窄;一第一氮化盖层,系形成于该第一氧化层之上表面,其中该第一氮化盖层之宽度较该第一氧化层之宽度为宽;一第二氧化层,系位于该第一氮化盖层之上表面;以及一第二氮化盖层,用以形成间隙壁于该闸极结构之侧壁,其中该第一氮化盖层与该间隙壁系用以当作蚀刻阻障层,以避免该闸极结构在后续利用蚀刻程序而形成接触窗的过程中曝露出来。7.如申请专利范围第6项之半导体元件结构,其中该间隙壁系由氮化矽构成。8.如申请专利范围第6项之半导体元件结构,其中该间隙壁系由氮氧化矽构成。9.如申请专利范围第6项之半导体元件结构,其中该闸极结构更包含形成一金属矽化物层于其上。10.一种具有自对准接触之半导体元件结构,该半导体元件结构至少包括:一半导体底材;一闸极氧化层,系位于该半导体底材之上表面;一闸极结构,系位于该闸极氧化层之上表面;一第一氧化层,系位于该闸极结构上表面,其中该第一氧化层之宽度较该闸极结构之宽度为窄;一氮化盖层,系形成于该第一氧化层之上表面,其中该氮化盖层之宽度较该第一氧化层之宽度为宽;一第二氧化层,系位于该氮化盖层之上表面;以及间隙壁,系形成于该闸极结构、该第一氧化层与该氮化盖层之侧壁,其中该间隙壁与该氮化盖层用以当作蚀刻阻障层,以避免该闸极结构在利用进行蚀刻程序而形成接触窗的过程中曝露出来。11.如申请专利范围第10项之半导体元件结构,其中该间隙壁系由氧化矽构成。12.如申请专利范围第10项之半导体元件结构,其中该间隙壁系由氮氧化矽构成。13.如申请专利范围第10项之半导体元件结构,其中该闸极结构更包含形成一金属矽化物层于其上。图式简单说明:第一图为放大之半导体闸极结构截面图,显示根据本发明形成氧化物-氮化物-氧化物硬式罩幂于闸极结构上表面之步骤;第二图为放大之半导体闸极结构截面图,显示根据本发明对半导体底材进行第一次蚀刻程序,以移除闸极结构中部分多晶矽层之步骤;第三图为放大之半导体闸极结构截面图,显示根据本发明对第二图之结构进行湿蚀刻程序,以形成超环面形状凹陷于第一氧化层周围之步骤;第四图为放大之半导体闸极结构截面图,显示根据本发明对第三图之结构进行第二次蚀刻程序,以移除在第一次蚀刻程序后,剩余之部分多晶矽层之步骤;第五图为放大之半导体闸极结构截面图,显示根据本发明沈积一第二氮化矽层于第四图结构上表面之步骤;第六图为放大之半导体闸极结构截面图,显示根据本发明对第五图之结构进行非等向性蚀刻程序,以形成第一对氮化矽间隙壁之步骤;第七图为放大之半导体闸极结构截面图,显示根据本发明依序沈积一内连线介电层与一光阻层于第六图结构上表面,并图案化该光阻层之情形;以及第八图为放大之半导体闸极结构截面图,显示根据本发明对第七图之结构进行第三次蚀刻程序,以形成接触窗与第二对间隙壁于介电层中之步骤。 |
