水性硷性显影剂及其应用与制备

摘要

本发明系关于一种于基材上提供图案以用于金属移除制程之方法，此方法包括：1)将基材涂布上液体正光阻；2)软烘烤已涂布的基材；3)将基材与含约0.005体积百分比至约0.05体积百分比的伸烷基二醇烷基醚之水性硷性显影剂接触；4)在基材上放置有图案的遮罩；5)透过此遮罩对基材曝光；6)后曝光烘烤基材；7)视需要，将基材大量曝光；及8)以水性硷性显影剂显影基材。本发明亦关于一种新颖的氢氧化铵显影溶液，其含从约0.005体积百分比至约0.5体积百分比的伸烷基二醇烷基醚，及此新颖的显影溶液之制造方法。

主权项

1.一种于合适的基材上制造图案的方法,合适于合适的基材上形成次微米宽的金属线,该方法包括:1)将基材涂布以正液体光阻层;2)软烘烤步骤1已涂布的基材,以实质上移除光阻层的光阻溶剂;3)将步骤2于经软烘烤的涂布基材上之光阻层与水性硷性显影剂接触,该显影剂包含从0.005体积百分比至0.5体积百分比的C1-C4伸烷基二醇C1-C4烷基醚;4)将含图案的遮罩放在步骤3之经软烘烤的涂布基材之光阻层上;5)于步骤3之经软烘烤涂布的基材上透过步骤4的遮罩,在光化辐射下曝光部分的光阻层;6)后曝光烘烤步骤5之经软烘烤的涂布基材之光阻层;及7)视需要,以光化辐射将步骤6之软烘烤的涂布基材之光阻层大量曝光;8)以水性硷性显影剂显影步骤6或7的涂布基材之光阻层。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中于步骤3中之水性硷性显影剂为氢氧化铵显影剂。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中于步骤3中之水性硷性显影剂为氢氧化四甲基铵显影剂。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中于步骤3中之C1-C4伸烷基二醇C1-C4烷基醚为丙二醇C1-C4烷基醚。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中于步骤3中之C1-C4伸烷基二醇C1-C4烷基醚为丙二醇甲基醚。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中于步骤8中之水性硷性显影剂为氢氧化铵。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中于步骤8中之水性硷性显影剂为氢氧化四甲基铵。8.一种水性硷性显影剂,其包含氢氧化铵水溶液且该溶液亦包含从0.005体积百分比至0.5体积百分比的C1-C4伸烷基二醇C1-C4烷基醚。9.根据申请专利范围第8项之水性硷性显影剂,其中C1-C4伸烷基二醇C1-C4烷基醚为丙二醇C1-C4烷基醚。10.根据申请专利范围第8项之水性硷性显影剂,其中C1-C4伸烷基二醇C1-C4烷基醚为丙二醇甲基醚。11.根据申请专利范围第8项之水性硷性显影剂,其中该显影剂具有当量浓度从0.20至0.30。12.一种制造水性硷性显影溶液之方法,其包括:a)提供一种水性硷性化合物水溶液;及b)将步骤a的溶液与足够量的C1-C4伸烷基二醇C1-C4烷基醚混合,以提供含从0.005体积百分比至0.5体积百分比的该C1-C4伸烷基二醇C1-C4烷基醚之显影溶液。13.根据申请专利范围第12项之方法,其中C1-C4伸烷基二醇C1-C4烷基醚为丙二醇C1-C4烷基醚。14.根据申请专利范围第12项之方法,其中C1-C4伸烷基二醇C1-C4烷基醚为丙二醇甲基醚。15.根据申请专利范围第12项之方法,其中产生的水性硷性显影剂具有当量浓度从0.20至0.30。