发明名称 具改善的产率之液晶显示装置制造方法
摘要 一种制造液晶显示装置之方法,包含就遮盖薄膜电晶体之闸极图样的障蔽型阳极氧化物膜选择性去除多孔阳极氧化物膜之步骤,其中该去除多孔阳极氧化物膜之步骤系于闸极之阳极氧化过程时解除用于供给电流的桥接导体图样之连结之步骤后进行。
申请公布号 TW548498 申请公布日期 2003.08.21
申请号 TW088104869 申请日期 1999.03.26
申请人 富士通股份有限公司 发明人 大堀达也;和田保雄;大形公士;笕达也;梁井健一
分类号 G02F1/136 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种制造液晶显示装置之方法,该液晶显示装置包括一第一基板;一第二基板系面对该第一基板且其间分隔一间隙;一薄膜电晶体形成于第一基板上;及一液晶显示层局限于该间隙,该方法包含下列步骤:形成一半导体层于第一基板上;形成一绝缘膜于半导体层上;形成一金属层于绝缘膜上;阳极氧化金属层表面而形成障蔽型第一阳极氧化物膜于表面上;于形成第一阳极氧化物膜之步骤后,图样化金属层而形成有一对缘界定之导体图样,故导体图样包括一闸极图样及一桥接图样,该桥接图样于第一基板上由闸极图样伸展至另一闸极图样;于图样化金属层之步骤后,阳极氧化导体图样形成第二多孔阳极氧化物膜于导体图样之各该缘上;于形成第二阳极氧化物膜步骤后,阳极氧化导体图样而形成第三障蔽型阳极氧化物膜于各该缘,故第三阳极氧化物膜系位于第二阳极氧化物膜内侧;于形成第三阳极氧化物膜之步骤后,藉蚀刻方法去除桥接图样,使闸极图样与另一闸极图样分开;及于该去除桥接图样之步骤后,藉蚀刻方法去除第二阳极氧化物膜。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该用于隔离闸极图样之步骤之蚀刻过程包括下列步骤:藉第一蚀刻剂去除覆盖桥接图样之第一阳极氧化物膜;藉第二蚀刻剂去除桥接图样,该方法进一步包括,于去除桥接图样之步骤后,去除毗邻桥接图样形成之第一阳极氧化物膜,及于桥接图样被去除后,经由使用第一蚀刻剂形成外悬结构。3.如申请专利范围第2项之方法,其中用于隔离闸极图样之步骤之蚀刻过程系经由使用光阻图样进行,该光阻图样遮盖薄膜电晶体且具有窗对应桥接图样,于去除第一阳极氧化物膜形成外悬结构之步骤后,光阻图样被去除。4.如申请专利范围第2项之方法,其中该蚀刻第二阳极氧化物膜之步骤系使用第二蚀刻剂进行。5.如申请专利范围第2项之方法,其中该第一蚀刻剂含有磷酸及氧化铬,第二蚀刻剂含有磷酸。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该导体图样含有铝作为主要成分。7.一种制造液晶显示装置之方法,该装置包括一第一基板,一第二基板面对该第一基板且其间间隔一间隙,一薄膜电晶体形成于第一基板上,及一液晶层局限于该间隙内,该方法包含下列步骤:形成一半导体层于该第一基板上;形成一绝缘膜于该半导体层上;形成一金属层于该绝缘膜上;阳极氧化金属层表面形成第一障蔽型阳极氧化物膜于表面上;于形成第一阳极氧化物膜步骤后,图样化金属层形成由一对缘界定之导体图样且包括一闸极图样及一桥接图样,使桥接图样伸展于第一基板上之另一闸极图样;于图样化金属层步骤后,阳极氧化导体图样而于各该导体图样缘上形成一第二多孔阳极氧化物膜;于形成第二阳极氧化物膜步骤后,阳极氧化该导体图样形成第三障蔽型阳极氧化物膜于各该缘,使第三阳极氧化物膜系位于第二阳极氧化物膜内侧;于形成第三阳极氧化物膜步骤后,藉蚀刻方法去除第二阳极氧化物膜;于去除第二阳极氧化物膜步骤后,藉蚀刻方法去除桥接图样,使闸极图样与另一闸极图样分开;其中蚀刻该阳极氧化物膜之步骤系藉含有氧化铬浓度为0.03重量%或以上之磷酸蚀刻剂进行。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该蚀刻第二阳极氧化物膜之步骤系于60℃或以下之温度进行。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该蚀刻剂除磷酸及氧化铬外含有乙酸及硝酸。10.一种制造液晶显示装置之方法,该液晶显示装置包括:一第一基板;一第二基板系面对该第一基板且其间间隔一间隙;一导体图样形成于第一基板上;及一液晶层局限于该间隙,该方法包含下列步骤:阳极氧化导体图样而形成障蔽型阳极氧化物膜于导体图样上;藉进行湿式蚀刻法去除部份阳极氧化物膜;对已经藉进行湿式蚀刻法去除阳极氧化物膜部份去除导体图样;及于去除导体图样步骤后,藉湿式蚀刻法去除阳极氧化物膜。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该湿式蚀刻障蔽型阳极氧化物膜之步骤系藉磷酸添加氧化铬之蚀刻剂进行。12.一种制造液晶显示装置之方法,该液晶显示装置包括;一第一基板;一第二基板系面对该第一基板而其间间隔一间隙;一导体图样形成于第一基板上;及一液晶层局限于间隙,该方法包含下列步骤:阳极氧化导体图样而于导体图样上形成第一多孔阳极氧化物膜;于形成第一阳极氧化物膜后,阳极氧化导体图样形成第二障蔽型阳极氧化物膜于第一阳极氧化物膜内侧;及藉由进行湿式蚀刻法相对于第二阳极氧化物膜选择性去除第一阳极氧化物膜;藉由含氧化铬浓度为0.03重量%或以上之磷酸蚀刻剂进行湿式蚀刻方法。图式简单说明:第1图为习知液晶显示装置之透视图;第2图为第1图之部分液晶显示装置之放大略图;第3图为略图显示用于第1图之液晶显示装置之具有LDD结构之薄膜电晶体构造;第4A-4F图为略图显示薄膜电晶体之习知制法;第5图为略图显示习用于薄膜电晶体制法之阳极氧化过程;第6图为略图显示于第5图之制程后进行分割导体图样之过程;第7图为略图说明习知液晶显示装置制法之相关问题;第8A及8B图为略图说明第7图之现象机制;第9图为略图显示习知液晶显示装置制法之另一相关问题;第10A-10E图为根据本发明之第一具体例之液晶显示装置之制法;第11为略图显示第10C图之方法细节;第12A及12B图为略图说明本发明之第二具体例之原理;第13A-13F图为说明第二具体例原理之进一步略图;第14图为说明第二具体例原理之进一步略图;第15A-15C图为略图显示根据第二具体例之液晶显示装置之制法;及第16图为略图显示根据本发明之第二具体例制造之液晶显示装置部份。
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