| 主权项 |
1.一种以乾燥方式进行至少一金属表面部分之表面处理的方法,其中金属表面部分系在接近大气压的压力下,利用包含激态或不安定物种的处理气体流进行处理,其特征在于局部增加在金属表面部分上之处理气体的压力,以致使化学物种被迫依照大约垂直于该表面之方向移动。2.根据申请专利范围第1项之方法,其特征在于激态或不安定化学物种系藉由将最初气体通过放电而得。3.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于该处理气体实质上没有带电物种。4.根据申请专利范围第3项之方法,其特征在于该处理气体系从主要气体混合物获得,而且适当时,从相邻气体混合物中获得,该主要气体混合物系在至少一形成激态或不安定气态物种之装置的出气口获得,其中包括惰性气体及/或还原气体及/或氧化气体的最初气体混合物系已经转化,该相邻混合物没有通过该装置。5.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于因为处理气体流依通常垂直于该表面的方向朝向该表面部分射出,而且因为其周围上包括依大约与该表面部分正切之方向里运动的激态或不安定粒子,所以在该表面上之处理气体在该流动周围增加压力。6.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于该表面部分上之处理气体的压力系藉由至少一载承气体流以垂直于该表面部分射出而增加。7.根据申请专利范围第6项之方法,其特征在于载承气体包含氮气。8.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于因为该表面部分置于处理室,所以该表面部分上之处理气体的压力系藉由至少一面对该表面之风扇而增加,以迫使处理气体流依大约垂直于该表面的方向撞击该表面部分。9.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于该金属表面部分系存在于印刷电路板上而且其特征在于该表面处理系在焊接或镀锡前,于该表面上进行一或多个下列作用;清洁,去污,表面活化,去闪蒸(deflashing),助熔。10.一种在电子电路上波焊接电子组件(22,24)的方法,其中:-组件(22,24)系置于电路上的连接点;-助熔电路板(12)的操作系在接近大气压的压力下,经由处理气体流,使用申请专利范围第1-9项中任一项之表面处理方法处理电路的方式进行;及-将载有组件(22,24)的电路板(12)与焊接合金波(30)接触。11.根据申请专利范围第10项之方法,其特征在于因为处理气体流依通常垂直于电路的方向朝向电路板(12)射出,而且因为其周围上包括依大约与电路板(12)表面正切之方向里运动的激态或不安定粒子,所以电路板(12)上之处理气体流在该流动周围的压力增加。12.根据申请专利范围第10或11项之方法,其特征在于该电路板上之处理气体的压力系藉由至少一载承气体流以垂直该电路板射出而增加。13.根据申请专利范围第12项之方法,其特征在于载承气体包含氮气。14.根据申请专利范围第10或11项之方法,其特征在于在电路板置于处理室中的助熔步骤期间,电路板上之处理气体的压力系藉由至少一面对电路板的风扇(64)来增加,以迫使处理气体流依大约垂直电路板的方向撞击电路板(12)。15.根据申请专利范围第10或11项之方法,其特征在于激态或不安定化学物种系藉由将最初气体通过放电而得。16.根据申请专利范围第10或11项之方法,其特征在于含有激态或不安定化学物种的处理气体系由包括氮气及氢气的还原气体混合物而产生。17.根据申请专利范围第10或11项之方法,其特征在于该处理气体实质上没有带电物种。18.根据申请专利范围第17项之方法,其特征在于该处理气体系从主要气体混合物中获得,而且适当时,从相邻气体混合物中获得,该主要气体混合物系在至少一形成激态或不安定气态物种之装置的出气口中获得,其中包含惰性气体及/或还原气体及/或氧化气体的最初气体混合物系已经转化,该相邻混合物没有通过该装置。19.根据申请专利范围第10或11项之方法,其特征在于经处理之电子电路系为印刷电路板。20.一种利用乾燥方式处理至少一金属表面部分以供进行申请专利范围第1至9项之方法的装置,其特征在于其包括含有激态或不安定化学物种之处理气体源,一输送包括该至少一金属表面部分之元件的装置,其使得元件与处理气体流接触,其特征在于其包括局部增加每一元件上之处理气体压力的装置,以迫使化学物种依大约垂直元件的方向移动。21.一种波焊接印刷电路板上电子组件(22,24)以供施行申请专利范围第10到19项之方法的装置,其特征在于其包括装置(10),其系将电路板输送通过至少一助熔电路板之装置(36),利用含有激态或不安定化学物种之处理气体流处理,该电路板(12)在至少一侧面上系载有欲在电路板上之连接点处焊接的组件(22,24),然后通过含有焊接合金的处理槽(32)以达焊接组件之目的,而且其特征在于该或每个助熔装置(36)包括用来局部增加每一电路板(12)上之处理气体流压力的装置(60,62,64),以迫使化学物种依大约垂直于电路板的方向移动。图式简单说明:-第1图系为根据本发明之波焊接装置的概示图;-第2图系为形成激态或不安定化学物种之装置的剖面图,其系为第1图波焊接装置之助熔装置的一部份;-第3图系显示局部增加元件上处理气体压力之装置的第一具体实施例;及-第4图系说明局部增加元件上处理气体压力之装置的第二具体实施例。 |
