| 主权项 |
1.一种基板之镀铜方法,包括:使基板与含有有机物之处理液接触,以及使基板与含有有机物之镀液接触以进行电镀;其中,该有机物包含一种有机高分子聚合物并且在该处理液中之浓度为10mg/l至10g/l,分子量为100至100,000之范围。2.如申请专利范围第1项之基板之镀铜方法,其中之处理液含有镀液中所含有的硫化物,该硫化物在该处理液中之浓度为0.1mol/1至70mol/l之范围。3.一种基板之镀铜方法,包括:使基板与含有硫化物之处理液接触,以及使基板与含有硫化物之镀液接触以进行电镀;其中,该硫化物在该处理液中之浓度为0.1mol/l至70mol/l之范围。4.如申请专利范围第2项或第3项之方法,其中之该硫化物系以一般式X-L-(S)n-L-X式中,L为低级烷基、低级烷氧基、羟基,或可被卤原子取代之碳原子数为1至6之烷基;X为氢原子、SO3M基,或PO3M基,其中M为氢原子、硷金属原子,或胺基。5.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之基板之镀铜方法,其中,又包括:中断该基板之电镀,而使该基板与该处理液接触者。6.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之基板之镀铜方法,又包括:在电镀该基板之前将该处理液从该基板去除之步骤,或将该基板乾燥之步骤。7.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之基板之镀铜方法,又包括:在电镀该基板之前,将该处理液从该基板去除之步骤,及将该基板乾燥之步骤。8.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之基板之镀铜方法,其中,使该基板与处理液接触3至60秒。9.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之基板之镀铜方法,其中,又包括:中断该基板之电镀,而在镀液中蚀刻电镀膜,使该基板连同蚀刻膜与该处理液接触,继之在该镀液中在该蚀刻膜上镀一层膜。10.如申请专利范围第8项之基板之电镀方法,其中之蚀刻系包含电解蚀刻或化学蚀刻者。11.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之基板之镀铜方法,又包括:中断该基板之电镀步骤,在镀液中蚀刻已电镀之膜之步骤,以及在镀液中在蚀刻膜上镀一层镀膜之步骤。12.如申请专利范围第11项之基板之镀铜方法,其中之该蚀刻包含电解蚀刻或化学蚀刻。l3.一种基板之镀铜装置,包括:使基板与含有有机物之处理液接触之工作站,以及使基板与含有有机物之镀液接触以进行电镀之工作站;其中,该有机物包含一种有机高分子聚合物并且在该处理液中之浓度为10mg/l至10g/l,分子量为100至100,000之范围。14.如申请专利范围第13项之基板之镀铜装置,其中之处理液含有镀液中所含有的硫化物,该硫化物在该处理液中之浓度为0.1mol/l至70mol/l 之范围。15.一种基板之镀铜装置,包括:使基板与含有镀液中所含有硫化物之处理液接触之工作站,以及使基板与含有硫化物之镀液接触以进行电镀之工作站;其中,该硫化物在该处理液中之浓度为0.1mol/l至70mol/l之范围。16.如申请专利范围第14项或第15项之装置,其中之该硫化物系以一般式X-L-(S)n-L-X式中,L为低级烷基,低级烷氧基,羟基,或可被卤原子取代之碳原子数为1至6之烷基;X为氢原子,SO3M基,或PO3M基,其中M为氢原子,硷金属原子,或胺基。17.如申请专利范围第16项之基板之镀铜装置,其中又包括使该基板在电镀该基板之前从该基板去除该处理液或将该基板乾燥之工作站。18.如申请专利范围第16项之基板之镀铜装置,其中又包括将沈积在该基板上之电镀膜蚀刻之工作站。19.如申请专利范围第18项之基板之镀铜装置,又包括:在电镀该基板之前,将该处理液从该基板去除,或将该基板乾燥之工作站。图式简单说明:第1图表示本发明之一实施形态的电镀装置全体构成图。第2图表示本发明其他实施形态的电镀装置全体构成图。第3图表示本发明另一实施形态的电镀装置全体构成图。 |
