| 主权项 |
1.一种挠性电路互连次总成,其包括:一第一封包镶嵌件;一挠性电路,其放在该第一封包镶嵌件上,其中该挠性电路具有适于与形成于一电子装置晶粒上之搭接垫互连的引线部分;一第二封包镶嵌件,其接合于该第一封包镶嵌件,其将该挠性电路之该引线部分从一第一平面往一第二平面挠曲;及一第三封包镶嵌件,其加诸于该第一封包镶嵌件,其将该挠性电路引线部分往该第一平面再次挠曲。2.一种电子装置封包件,其利用如申请专利范围第1项之挠性电路互连次总成,且更包括一接合于该挠性电路互连次总成之电子装置晶粒/载体次总成。3.如申请专利范围第2项之电子装置封包件,其中该电子装置晶粒/载体次总成包含一永久性固定于一微型电子机械系统(MEMS)晶粒的载体。4.如申请专利范围第3项之电子装置封包件,其中该MEMS晶粒有一支撑一或多个MEMS组件之第一表面及一接合于该载体之第二表面,该第一表面更已移除一覆盖该一或多个MEMS组件之保护涂层。5.如申请专利范围第1项之挠性电路互连次总成,其中:该第一封包镶嵌件为一大致矩形衬垫镶嵌件,其有一内部空洞;该挠性电路大致为矩形且其尺寸订为配合该衬垫镶嵌件之一外周,该挠性电路之该引线部分向内朝该衬垫镶嵌件之该内部空洞延伸;且该第二封包镶嵌件为一大致矩形载体镶嵌件,其小于该衬垫镶嵌件,至少有一贴邻该挠性电路引线部分的斜面。6.如申请专利范围第5项之挠性电路互连次总成,其中该第三封包镶嵌件为一大致矩形封盖镶嵌件,其小于该衬垫镶嵌件,至少有一贴邻该挠性电路引线部分的表面。7.如申请专利范围第6项之挠性电路互连次总成,其中:该载体镶嵌件沿一底部表面具有适于让成形材料向内流的表面特征;且该封盖镶嵌件当作一防止该成形材料向内流的塑模屏障。8.一种电子装置封包件,其利用如申请专利范围第1项之挠性电路互连次总成,且更包括:一电子装置晶粒/载体次总成,其接合于该挠性电路互连次总成,其中该电子装置晶粒/载体次总成包含一永久性固定于一电子装置晶粒的载体,该电子装置晶粒有一支撑一或多个电子组件之第一表面及一接合于该载体之第二表面;及一封盖,其接合于该挠性电路互连次总成,覆盖该电子装置晶粒第一表面。9.如申请专利范围第8项之电子装置封包件,其更包括一包住该电子装置封包件之一部分的包铸体。图式简单说明:图1为一有局部断面之透视图,其绘出一依据本发明建构之微型电子机械系统(MEMS)装置封包件的实施例;图2为一透视图,其绘出身为图1之MEMS封包件一部分的MEMS晶粒与载体的接合;图3为图2之晶粒/载体次总成之一透视图,其中晶粒保护涂层已去除;图4为一透视图,其绘出使用一栓接板固定件接收一要并入图1之MEMS封包件内的挠性电路;图5为一透视图,其绘出利用该栓接板固定件将图4之挠性电路接合于一衬垫镶嵌件;图6为一透视图,其绘出一载体镶嵌件与图5之挠性电路次总成接合,导致该挠性电路之内部引线部分挠曲;图7为一透视图,其绘出一封盖镶嵌件接合于图6之挠性电路次总成,导致该挠性电路之内部引线部分回复一水平取向;图8为图7之完成后互连次总成的透视图,其中栓接板固定件已移除;图9为一透视图,其绘出图8之互连次总成与图3之MEMS次总成的接合;图10为MEMS次总成与互连次总成在内部引线接合之后的透视图;图11为一用来将合并后MEMS次总成和互连次总成包铸上一封包封盖之空腔铸模的剖面图;图12为一从图11所示模塑程序得到之包铸MEMS封包件的剖面图,其中焊料球已接上;图13为一依据本发明建构之MEMS封包件替代实施例的剖面图;图14为一侧视图,其绘出图13之MEMS封包件的封包件下部空穴与晶粒/载体次总成的接合;图15为一剖面图,其绘出图13之MEMS封包件的封包件上部空穴和封盖与封包件下半部的接合;图16为一剖面图,其绘出图13之MEMS封包件的替代设计细部;图17为一本发明另一实施例之〝空穴向上(cavity-up)〞变异型的剖面图;图18为一透视图,其绘出图17之MEMS晶粒和载体的接合及随后将晶粒上之一保护封盖释脱;图19为一分解透视图,其绘出图17之MEMS封包件的互锁层;图20为图18之晶粒/载体次总成与图19之挠性电路次总成在内部引线接合之后结合的透视图;图21为图20之完成封包件在包铸和固定上焊料球之后的透视图;图22为一本发明另一实施例之〝空穴向下(cavity-down)〞变异型的剖面图;图23为一透视图,其绘出图22之MEMS晶粒和载体的接合及随后将晶粒上之一保护封盖释脱;图24为一分解透视图,其绘出图22之MEMS封包件的互锁层;图25为图23之晶粒/载体次总成与图24之挠性电路次总成在内部引线接合之后结合的透视图;且图26为图25之完成封包件在包铸和固定上焊料球之后的透视图。 |
