| 摘要 |
<p>Es ist eine integrierte, abstimmbare Kapazität angegeben, welche auf einem MOS-Transistor basiert. Zur Verbesserung der Linearitätseigenschaften der Abstimmkennlinie des Varaktors ist vorgesehen, das Gate-Gebiet teilweise mit Leitfähigkeitstyp p, und teilweise mit Leitfähigkeitstyp n zu dotieren. Weiterhin ist vorgesehen, Gate- und Source/Drain-Gebiete nicht einander überlappend vorzusehen, sondern voneinander in horizontaler Ebene zu beabstanden. Hierdurch ist bei geringem Serienwiderstand ein größeres Variationsverhältnis erzielt. Der Varaktor ist bevorzugt bei LC-VCOs anwendbar.</p> |
