| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung von Löchern in einer dielektrischen Schicht mit niedriger Dielektrizitätskonstante auf einer Halbleitervorrichtung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69528409(T2) |
申请公布日期 |
2003.08.21 |
| 申请号 |
DE1995628409T |
申请日期 |
1995.04.28 |
| 申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INC., DALLAS |
发明人 |
HAVEMANN, ROBERT H. |
| 分类号 |
H01L21/312;H01L21/316;H01L21/768;H01L23/522;(IPC1-7):H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/312 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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