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Ein Leistungstransistor enthält ein n·+·-Si-Substrat (61), das eine für eine Abscheidung vorgesehene Oberfläche hat, die durch Nass-Chemisches-Reinigen gereinigt ist und die weiter durch Vakuum wärmegereinigt ist, eine n·-·-Si-Pufferschicht (63), die auf dem Si-Substrat als eine Abscheidung mittels CVD abgeschieden ist, um Verunreinigungen (62) zu bedecken, die auf der für die Abscheidung vorgesehene Oberfläche verbleiben, eine p-SiGe-Basisschicht (64), die als eine Abscheidung auf der Si-Pufferschicht (63) mittels CVD abgeschieden ist, eine n-Si-Emitterschicht (74) auf der SiGe-Basisschicht, eine Basiselektrode (75), eine Emitterelektrode (76) und eine Kollektorelektrode (77).
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