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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von extrem ultravioletter (EUV-)Strahlung auf Basis eines strahlungsemittierenden Plasmas, insbesondere zur Erzeugung von EUV-Strahlung mit einer Wellenlänge um 13 nm. DOLLAR A Die Aufgabe der Erfindung, eine neue Möglichkeit zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung auf Basis eines strahlungsemittierenden Plasmas zu finden, bei der die Emissionsleistung der EUV-Quelle im Wellenlängenbereich oberhalb der L-Absorptionskante von Silizium vergrößert wird, ohne dass sich der technische und monetäre Aufwand zur Plasmaerzeugung wesentlich erhöht, wird bei einem Verfahren zur Erzeugung extrem ultravioletter Strahlung durch Emission breitbandiger Strahlung aus einem Plasma unter Vakuumbedingungen erfindungsgemäß gelöst, indem das Plasma unter Verwendung von mindestens einem Element der V. bis VII. Hauptgruppe der 5. Periode des Periodensystems der Elemente erzeugt wird. Vorzugsweise kommen Jod, Tellur, Antimon oder Materialien, die diese Elemente oder damit gebildete chemische Verbindungen enthalten, zum Einsatz. DOLLAR A Die Erfindung findet vorzugsweise in der EUV-Lithographie zur Herstellung von Halbleiterchips Anwendung.
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