发明名称 Speicherzelle
摘要 Bei der Speicherzelle ist in dem Graben eine Schichtfolge aus einer ersten Oxidschicht (1), einer Nitridschicht (2) und einer der Gate-Elektrode zugewandten zweiten Oxidschicht (3) an den seitlichen Grabenwänden vorhanden, während die Nitridschicht (2) in einem gekrümmten Bereich (4) des Grabenbodens fehlt. Bei einer alternativen Ausgestaltung ist an den seitlichen Wänden des Grabens je mindestens eine Stufe ausgebildet, vorzugsweise unterhalb des Source-Bereiches bzw. des Drain-Bereiches.
申请公布号 DE10204868(A1) 申请公布日期 2003.08.21
申请号 DE20021004868 申请日期 2002.02.06
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 DEPPE, JOACHIM;LUDWIG, CHRISTOPH;KLEINT, CHRISTOPH
分类号 H01L21/8247;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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