发明名称 |
Speicherzelle |
摘要 |
Bei der Speicherzelle ist in dem Graben eine Schichtfolge aus einer ersten Oxidschicht (1), einer Nitridschicht (2) und einer der Gate-Elektrode zugewandten zweiten Oxidschicht (3) an den seitlichen Grabenwänden vorhanden, während die Nitridschicht (2) in einem gekrümmten Bereich (4) des Grabenbodens fehlt. Bei einer alternativen Ausgestaltung ist an den seitlichen Wänden des Grabens je mindestens eine Stufe ausgebildet, vorzugsweise unterhalb des Source-Bereiches bzw. des Drain-Bereiches.
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申请公布号 |
DE10204868(A1) |
申请公布日期 |
2003.08.21 |
申请号 |
DE20021004868 |
申请日期 |
2002.02.06 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
DEPPE, JOACHIM;LUDWIG, CHRISTOPH;KLEINT, CHRISTOPH |
分类号 |
H01L21/8247;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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