| 发明名称 | 钨金属化学气相沉积法中原子层沉积的方法 | ||
| 摘要 | 一种钨金属化学气相沉积法中原子层沉积的方法，包括下列步骤：(a)使用一第一反应气体进行化学气相沉积制程，以形成一第一反应气体原子沉积层；(b)将该第一反应气体作用完的剩余气体抽除；(c)使用一第二含钨反应气体进行化学气相沉积制程，以形成一相对于该第一反应气体原子沉积层的第二含钨反应气体原子沉积层；(d)将该第二含钨反应气体作用完的剩余气体抽除；(e)重复上述(a)至(d)步骤至少一次，形成循环周期；(f)在上述循环周期中，选择于部分周期重复实施步骤(c)和(d)至少一次。 | ||
| 申请公布号 | CN1436876A | 申请公布日期 | 2003.08.20 |
| 申请号 | CN02103508.3 | 申请日期 | 2002.02.05 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 吴启明;眭晓林 |
| 分类号 | C23C16/06;C23C16/44 | 主分类号 | C23C16/06 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 1.一种钨金属化学气相沉积法中原子层沉积的方法，包括下列步骤：(a)使用一第一反应气体进行化学气相沉积制程，以形成一第一反应气体原子沉积层；(b)将该第一反应气体作用完的剩余气体抽除；(c)使用一第二含钨反应气体进行化学气相沉积制程，以形成一相对于该第一反应气体原子沉积层的第二含钨反应气体原子沉积层；(d)将该第二含钨反应气体作用完的剩余气体抽除；(e)重复上述(a)至(d)步骤至少一次，形成循环周期；(f)在上述循环周期中，选择于部分周期重复实施步骤(c)和(d)至少一次。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||