发明名称 |
具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件的实现方法 |
摘要 |
本发明涉及一种光电子器件和其实现方法,特别涉及一种具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件和其实现方法。本发明其特征在于半导体光波与光电子器件内部的两个半导体分器件的相邻表面之间形成一个θ角,其中0°<θ<90°。本发明所提出的非平行腔半导体光波与光电子器件结构将成为半导体器件实现的一种新的基本结构,其作用就如同光元件中的光栅与棱镜结构或电路系统中的电容与电感一样,势必将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而久远的影响。 |
申请公布号 |
CN1118877C |
申请公布日期 |
2003.08.20 |
申请号 |
CN99109808.0 |
申请日期 |
1999.07.14 |
申请人 |
北京邮电大学 |
发明人 |
任晓敏;黄永清;刘凯 |
分类号 |
H01L27/144;H01S5/00;G02B6/42 |
主分类号 |
H01L27/144 |
代理机构 |
北京奥瑞专利事务所 |
代理人 |
朱黎光 |
主权项 |
1、一种具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件的实现方法,其特征在于分别独立地采用晶格匹配的相同或不同半导体材料,或晶格不匹配的不同半导体材料制作第一半导体分器件和第二半导体分器件各自的内部细结构,这两个半导体分器件在材料体系和结构上的选取是相同,或是有差异;第一半导体分器件表面形成具有高层面与低层面两个层面结构的不连续表面结构,控制高层面与低层之间的高度差,将第二半导体分器件架在第一半导体分器件的高层面与低层面之间,使第二半导体分器件表面与第一半导体分器件的低层面之间形成夹角θ,夹角θ的大小由第一半导体分器件表面的高层面与低层面之间的高度差及两个分器件组合时两个接触端之间的长度决定;第一半导体分器件与第二半导体分器件在接触处采用粘或焊等类似方法固定在一起,形成一个整体。 |
地址 |
100876北京市海淀区西土城路10号66号信箱 |