INTEGRATED MAGNETORESISTIVE SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM,申请号EP20010982142-传众专利搜索

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发明名称	INTEGRATED MAGNETORESISTIVE SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM
摘要
申请公布号	EP1336179(A1)	申请公布日期	2003.08.20
申请号	EP20010982142	申请日期	2001.09.26
申请人	INFINEON TECHNOLOGIES AG	发明人	BOEHM, THOMAS;ROEHR, THOMAS;HOENIGSCHMID, HEINZ
分类号	G11C11/15;G11C11/16;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/22;H01L43/08;(IPC1-7):G11C11/16	主分类号	G11C11/15
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