将数据写入电流提供给多个存储块的薄膜磁存储装置

摘要

对第1级～第N级这N个分割出的存储块(MB)中的每个，分别对应于各存储块中包含的多个数字线(DL)的一端及另一端来配置多个第1及第2驱动单元(ND、PT、NT)。被选存储块以前的各第1驱动单元(ND、PT)按照前级存储块的同一行的数字线的电压电平来连接对应的数字线和第1电压(VCC)。此外，被选存储块的第2驱动单元(NT)连接对应的数字线和第2电压(GND)来提供数据写入电流。即，不是将被选存储块以前的数字线用作电流线，而是用作信号线，来缩小电路带的面积。

主权项

1.一种薄膜磁存储装置，其中，包括配置为矩阵状的多个磁磁存储单元；上述多个磁存储单元沿行方向被分割为第1级至第N级这N个(N：自然数)存储块以便共享存储单元行；在各上述存储块中，还包括：多个数字线，分别对应于上述存储单元行来设置，用于在数据写入时使产生数据写入磁场的数据写入电流选择性地流入选择出的磁存储单元；多个第1驱动单元，分别对应于上述多个数字线来设置，分别用于控制对应的数字线的一端和第1电压之间的连接；以及多个第2驱动单元，分别对应于上述多个数字线来设置，分别用于控制上述对应的数字线的另一端和第2电压之间的连接；在上述数据写入时，与上述第1级存储块对应的各上述第1驱动单元按照行选结果来连接对应的数字线的上述一端与上述第1电压；在上述数据写入时，与包含上述被选磁存储单元的第I级(I：I≤N的自然数)存储块对应的各上述第2驱动单元按照上述N个存储块的选择结果，来连接对应的数字线的另一端与上述第2电压；在上述数据写入时，在I≥2时，与上述第2级至第N级存储块分别对应的各上述第1驱动单元按照前级存储块内的同一存储单元行的数字线的电压电平，来连接对应的数字线的上述一端与上述第1电压；在上述数据写入时，在I≥2时，与上述第1级至第(I-1)级存储块对应的各上述第2驱动单元按照上述N个存储块的选择结果，将对应的数字线的上述另一端与上述第2电压断开。