发明名称 用超临界二氧化碳制备导电聚吡咯复合膜材料的方法
摘要 本发明提供了一种新的聚吡咯导电复合膜的制备方法:利用超临界流体CO<SUB>2</SUB>对聚合物基体较强的溶胀性,将溶解在超临界CO<SUB>2</SUB>中的吡咯单体带入含有氧化剂的基体膜中引发聚合,生成导电聚吡咯复合膜。控制反应条件可得到仅表面导电或体积导电的聚吡咯复合膜。与已有的文献、专利相比,本发明采用无毒、不可燃的超临界CO<SUB>2</SUB>作为反应介质,省去了水或其他一些有毒溶剂如甲醇、乙腈的使用,因而具有环保特性,是一种非常有应用前景的导电复合材料制备技术。
申请公布号 CN1436807A 申请公布日期 2003.08.20
申请号 CN02104526.7 申请日期 2002.02.08
申请人 中国科学院化学研究所 发明人 何嘉松;李刚;李育英;廖霞
分类号 C08J7/16;C08L69/00;C08L67/00 主分类号 C08J7/16
代理机构 代理人
主权项 1、一种用超临界二氧化碳制备导电聚砒咯复合膜材料的方法,其特征在于聚吡咯导电复合膜的制备是按照以下顺序分步完成的:(1)将氧化剂和基体聚合物按重量比5/95~50/50分别溶解在适当溶剂中,将二者均匀混合后在玻璃板上铺膜,待溶剂基本挥发后,转移到40℃的烘箱中真空干燥48小时,得到0.1~1毫米厚的混有氧化剂的聚合物基体膜,(2)将步骤(1)所得混有氧化剂的聚合物基体膜及吡咯单体置于高压反应釜中,通入99.9%高纯CO2,条件控制为:温度33~100℃、压力8~30MPa,使CO2达到超临界状态,恒温恒压20分钟~24小时,使导电聚合物单体随超临界流体CO2渗透到基体聚合物中并与氧化剂反应生成导电聚合物复合材料,(3)在10~60秒时间内将超临界流体CO2释放并与大气相通,得到聚吡咯导电复合膜。
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