发明名称 |
发光多孔硅材料的制备方法 |
摘要 |
一种采用超声电化学腐蚀制备发光多孔硅材料的方法。传统的多孔硅电化学制备方法是采用加直流电流或脉冲电流的方法。直流电流腐蚀方法制备的多孔硅材料有表面硅孔分布不均匀,孔径比较大,界面不平整,腐蚀效率不高等缺点。脉冲电化学腐蚀方法也有自身的缺点,化学反应产物不能有效地快速扩散出来。而且以这些方法制备的多孔硅材料光学特性不够好。本发明利用超声的特性,在电化学腐蚀多孔硅的同时加上超声,更加优化了腐蚀条件。得到的多孔硅材料无论是表面界面结构还是光学特性都得到了极大的提高。 |
申请公布号 |
CN1436878A |
申请公布日期 |
2003.08.20 |
申请号 |
CN03115546.4 |
申请日期 |
2003.02.27 |
申请人 |
复旦大学 |
发明人 |
侯晓远;柳毅;熊祖洪;徐少辉;柳玥;刘小兵;丁训民 |
分类号 |
C25F3/12 |
主分类号 |
C25F3/12 |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 |
代理人 |
姚静芳;王福新 |
主权项 |
1、一种发光多孔硅材料的制备方法,其特征是把腐蚀槽置于超声环境中制备多孔硅,即在电化学腐蚀多孔硅的同时加上超声条件来制备发光多孔硅材料。 |
地址 |
200433上海市邯郸路220号 |