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发明名称 METHOD OF FABRICATING CMOS DEVICE WITH DUAL GATE ELECTRODE
摘要
申请公布号 SG98082(A1) 申请公布日期 2003.08.20
申请号 SG20020007572 申请日期 2002.12.13
申请人 CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD. 发明人 CHEW-HOE ANG;ENG HUA LIM;RANDALL CHER LIANG CHA;JIA-ZHEN ZHENG;ELGIN KIOK BOONE QUEK;MEI SHENG ZHOU;DANIEL LEE WEI YEN
分类号 H01L21/8238;(IPC1-7):H01L21/823 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人
主权项
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