发明名称 |
金红石疏水薄膜的强化直流磁控溅射制备方法 |
摘要 |
一种金红石疏水薄膜的强化直流磁控溅射制备方法,其特征在于强化直流溅射条件,采用高磁控钛靶溅射,并结合高溅射电流密度、高基板温度、低工作气压及高氧分压条件,以保证充分的电离和沉积薄膜的氧化,并使溅射稳定,提高沉积率。本发明制备的二氧化钛薄膜为含少量锐钛矿的金红石多晶结构,具有良好的耐摩擦性和疏水特性,表面附着力非常好,可用于玻璃镜片、陶瓷,幕墙玻璃和汽车后视镜等材料的表面镀膜,也可用于制备某些生物医药材料。 |
申请公布号 |
CN1118587C |
申请公布日期 |
2003.08.20 |
申请号 |
CN00127814.2 |
申请日期 |
2000.12.07 |
申请人 |
杉杉集团有限公司;王辉 |
发明人 |
王辉 |
分类号 |
C23C14/35;C23C14/08;C01G23/047 |
主分类号 |
C23C14/35 |
代理机构 |
上海交达专利事务所 |
代理人 |
毛翠莹 |
主权项 |
1、一种金红石疏水薄膜的强化直流磁控溅射制备方法,其特征在于强化直流溅射条件,采用高磁控钛靶溅射,并结合高溅射电流密度、高基板温度、低工作气压及高氧分压条件,钛靶表面磁场强度为1000高斯,靶面至基板的距离为7cm,制备时先烘烤真空室,本底真空至1×10-3Pa后,在溅射靶附近通入氩气,保持氩气压为1Pa,加高电压电离氩气产生辉光放电,调节氩气压至0.4Pa,溅射稳定后,在基板附近通入氧气,工作气压维持在0.4Pa,分压比O2∶Ar=1∶1,调节电压,使溅射电流密度为50mA/cm2,基板温度控制在360度,沉积率为0.7nm/s。 |
地址 |
200122上海市浦东东方路985号 |