| 发明名称 | 四面体无定形碳膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 制备四面体无定形碳(ta－C)膜的方法包括在物体表面上沉积碳原子。在碳原子的沉积期间保持物体表面曝露于氟原子。该方法允许氟原子分散在四面体无定形碳膜中的沉积碳原子中。四面体无定形碳膜的硬度可以响应于包括在四面体无定形碳膜中sp<SUP>3</SUP>碳键的增加含量而改进。此外，由于存在于四面体无定形碳膜曝露表面附近的氟原子，四面体无定形碳膜仍然提供对水的足够排斥性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1437191A | 申请公布日期 | 2003.08.20 |
| 申请号 | CN02152684.2 | 申请日期 | 2002.11.29 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 兵藤浩之 |
| 分类号 | G11B7/24;G11B5/60 | 主分类号 | G11B7/24 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 邓毅 |
| 主权项 | 1.一种四面体无定形碳膜的制备方法，包括：在物体表面上沉积碳原子，保持物体表面曝露于氟原子。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||