磊晶矽晶圆及其制造方法

摘要

本发明是提供在晶圆全面具有良好的IG能力之磊晶矽晶圆及其制造方法。本发明系在晶圆全面具有良好之吸气能力之磊晶矽晶圆，在磊晶成长后之矽单结晶基板内部所检测出之氧析出物密度，在晶圆面内之任何位置皆为1×10^9／cm^3以上。