| 发明名称 |
PROCEDE DE POLISSAGE MECANO-CHIMIQUE DE SUBSTRATS METALLIQUES |
| 摘要 |
<P>Composition abrasive pour le polissage mécano-chimique en une étape de substrats utilisés dans l'industrie microélectronique des semi-conducteurs contenant au moins une couche métallique et une couche d'isolant, comprenant une suspension aqueuse acide de particules de silice colloïdale individualisées, non liées entre elles par des liaisons siloxanes avec un diamètre moyen des particules compris entre 5 et 20 nm et un agent oxydant et procédé de polissage mécano-chimique utilisant une telle composition. </P>
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| 申请公布号 |
FR2835844(A1) |
申请公布日期 |
2003.08.15 |
| 申请号 |
FR20020001790 |
申请日期 |
2002.02.13 |
| 申请人 |
CLARIANT |
发明人 |
JACQUINOT ERIC;BOUVET DIDIER;BEAUD PATRICE |
| 分类号 |
B24B37/00;C09G1/02;C09K3/14;C23F3/00;H01L21/304;H01L21/321;(IPC1-7):C09G1/02;B24B29/02;C23F1/16;H01L21/302 |
主分类号 |
B24B37/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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