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Eine szintillierende Struktur (3) für die Justierung eines Elektronen- oder Ionenstrahls (11) mittels eines Detektors (5) beim Belichten einer Scheibe (1), etwa einem Wafer oder einer Maske, wird durch einen Resist (2), umfassend ein Polymer mit Carbonsäuregruppen, Anhydridgruppen und einer säureempfindlichen Gruppe - etwa tert.-Butylester -, eine photoreaktive Verbindung, welche bei einer Bestrahlung mit ultraviolettem Licht oder mit Elektronen oder Ionen eine Säure freisetzt, ein Lösemittel und wenigstens einen szintillierenden Stoff, etwa Anthracen, Naphtalin und/oder 1,4-Bis-(5-phenyl-2-oxazolyl)-benzol gebildet. Nach einem Entwicklungs- und Silylierungsschritt ist die quervernetzte Struktur (3) inert gegenüber Lösungsmitteln weiterer, über der Struktur aufgebrachter Lacken (4). Die szintillierende Struktur (3) wird dabei nicht angelöst, wodurch die Qualität eines online-kontrollierten Elektronen- oder Ionenstrahlschreibens erhöht wird.
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